產(chǎn)品應(yīng)用
• 3D傳感、激光雷達(dá)、大功率激光等應(yīng)用的VCSEL芯片測(cè)試
• 大功率面發(fā)射芯片的驗(yàn)證測(cè)試
產(chǎn)品特點(diǎn)
• 集成自制超窄脈沖 SMU、最小脈沖到 100ns，電流 30A
• 積分球同步收光，支持短脈沖 LIV 測(cè)試和光譜測(cè)試
• 開發(fā)探針，電感系數(shù)小，支持窄脈沖大電流(最小脈沖100ns,電流30A)測(cè)試，雙探針?biāo)木€法測(cè)試，探針壓力可調(diào)；探針電動(dòng)滑臺(tái)控制，實(shí)現(xiàn)可尋址測(cè)試和多通道測(cè)試
• 支持晶圓位置識(shí)別和自動(dòng)調(diào)整
• 測(cè)試載臺(tái)采用高導(dǎo)熱材料，TEC溫控，溫度范圍可支持25~85°C
• 支持快速光譜測(cè)試
• 支持NF均勻性與壞點(diǎn)檢測(cè)及M2因子，束腰
• 支持FF測(cè)試發(fā)散角測(cè)試
• 軟件支持精確定位圖、坐標(biāo)數(shù)據(jù)生成，數(shù)據(jù)庫(kù)自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)及圖片
| 參 數(shù) | 指 標(biāo) |
| 適合Wafer尺寸 | 2寸、4寸和6寸 |
| 芯片加電方式 | 支持同面和異面類型的VCSEL加電 |
| 脈沖電流輸出 | 范圍0-30A，精度0.5%rdg±250mA，最小脈寬100ns，Duty cycle:大于等于1A電流為<0.1%, 小于1A電流為<50% |
| 電壓測(cè)量 | 范圍0-40V，精度0.5%rdg±250mV |
| 功率測(cè)試 | 采用積分球收光，范圍0-200W，精度0.5% FS±10mW |
| 波長(zhǎng)范圍 | 400-1100 nm，其他波長(zhǎng)支持定制 |
| 輸出特性曲線 | (1)LIV特性曲線 (2) 光譜曲線 |
| LIV測(cè)試參數(shù) | Ith，V，Ir，SE，Rs，P，PCE，Wavelength，F(xiàn)WHM等 |
| 近場(chǎng)測(cè)試參數(shù) | 發(fā)光孔數(shù)，暗壞點(diǎn)、一致性，另可定制M2、孔發(fā)散角、束腰測(cè)試功能 |
| 遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試參數(shù) | 發(fā)散角(1/e²，D86,D50)、DIP |
| 光譜參數(shù) | λｐ 峰值波長(zhǎng) |
| 可尋址功能 | 探針電動(dòng)滑臺(tái)控制，實(shí)現(xiàn)可尋址測(cè)試。 |
| 激光測(cè)距 | 激光測(cè)距用于對(duì)Chuck和晶圓進(jìn)行測(cè)高找平，精度≤1um。 |
| 測(cè)試臺(tái)溫控范圍 | 25～85℃，穩(wěn)定性<±1℃ |
| 設(shè)備尺寸 | 不含信號(hào)燈及顯示器，1250mm(深)×1100mm(寬)×1750mm(高) |
| 氣源要求 | 正壓：無(wú) 負(fù)壓：≦-80KPa |
| 電源 | AC 220V/16A 50Hz |
