常規(guī)屬性
- 采用聚焦離子束轟擊樣品表面，通過(guò)控制離子束焦斑在局部區(qū)域的駐留時(shí)間，來(lái)實(shí)現(xiàn)表面材料的定量去除，從而實(shí)現(xiàn)拋光或表面修整。
- 顯著提升產(chǎn)能
- 薄膜的厚度均勻性可以修正到原子水平，至0.1nm
- 消除了邊緣效應(yīng)
- 具有ZBE功能，可進(jìn)行亞納米級(jí)去除
- 對(duì)樣品材料沒(méi)有限制
- 產(chǎn)能與維護(hù)在設(shè)計(jì)時(shí)就進(jìn)行了優(yōu)化，以降低生產(chǎn)成本
- 可以加工帶有光刻膠的晶圓，具有良好的樣品冷卻配置
* ZBE：zero base etching
系統(tǒng)性能
scia Trim 200 | |
樣品尺寸 | ф200mm |
樣品臺(tái) | 氦冷卻背板對(duì)于晶圓為標(biāo)準(zhǔn)靜電夾具而無(wú)邊緣遮攔 |
軸向直線運(yùn)動(dòng)特性 | 線速度0.5m/s, 線加速度15m/S2 |
| 離子源 | ★ 37mm 圓形射頻源RF37-i，束腰7--15mm （FWHM） ★ 80mm 圓形射頻源RF80-i，束腰12-- 20mm （FWHM） |
中和器 | 熱燈絲中和器N-Fil 或 射頻等離子橋中和器N-RF |
| 參考去除率 | SiO2： 6 x 10-3mm3/s （RF37-i) 11 x 10-3 mm3/s （RF80-i) |
加工后表面精度 | < 0.5nm rms （薄膜修整厚度不均勻性，與初始狀態(tài)有關(guān)） |
參考產(chǎn)能 | 15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer) |
基礎(chǔ)真空度 | 1x10-6 mbar |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |
標(biāo)準(zhǔn)配置 | 1個(gè)工作倉(cāng) |
配置選項(xiàng)
- 選配單樣品loadlock或晶圓載具
- 可選組合布局為2個(gè)工作倉(cāng)和晶圓載具
