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  • 分立器件測(cè)試儀

YB6200 分立器件測(cè)試儀

參考價(jià)
面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)YB6200
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2018-05-15
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量15
  • 人氣值543
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        簡(jiǎn)   

         西安誼邦電子科技有限公司為國(guó)家*產(chǎn)業(yè)園、西安市政府重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來(lái)自航天、航空及半導(dǎo)體技術(shù)研究所,具有豐富的專業(yè)技術(shù)知識(shí)和多年測(cè)試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。      
        公司于2007年引進(jìn)*進(jìn)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù),研制生產(chǎn)了YB6000系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀,該測(cè)試儀有功率大、速度快、精度高、測(cè)試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。
       YB6000系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀主要應(yīng)用于*、汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等領(lǐng)域。   
   
西安誼邦電子科技憑借較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力和完善的科學(xué)管理,能夠給用戶提供完善的售前售后
       科技創(chuàng)新、服務(wù)無(wú)限,是我們工作的宗旨。

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誼邦電子科技YB6500半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)功能更加強(qiáng)大,可測(cè)試十九大類二十七分類大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件:系統(tǒng)主要參數(shù)如下:
主極電壓:2000V
主極電流: 50A 加選件可擴(kuò)展到:400A,500A,800 A,1000 A,1300A.(用戶自選)
電壓分辨率:1mV
電流分辨率:1nA (加YB550分辨率為10pA)
控制極電壓:20V
控制極電流:10A
分立器件測(cè)試儀 產(chǎn)品詳情

YB6200半導(dǎo)體管測(cè)試儀|西安誼邦電子科技有限公司生產(chǎn)|符合《GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》,

YB6200半導(dǎo)體管測(cè)試儀在研究所、院校、企業(yè)、電子產(chǎn)品廠家用做IQC部門半導(dǎo)體分立器件的直流參數(shù)測(cè)試;可連接分選機(jī)。
通過增加選件YB580-500,可以擴(kuò)展主極電流到500A,滿足MOSFET、IGBT等功率器件測(cè)試需求
 
1.電學(xué)指標(biāo)
A-K 極間加壓范圍:                    ±100mV--2000V  
A-K 極間測(cè)流范圍:                   ±100nA--49.90A     
A-K 極間加流范圍:                   ±100nA--49.90A  
A-K 極間測(cè)壓范圍:                   ±100mV--2000V 
G-K 極間加壓范圍:                   ±100mV--20V   
G-K 極間測(cè)流范圍:                   ±100nA--10A        
G-K 極間加流范圍:                   ±100nA--10A      
G-K 極間測(cè)壓范圍:                   ±100mV--20V
zui大電壓分辨率:                     5mV
zui大電流分辨率:                     1nA
A-K 極間加/測(cè)壓精度:                1%+10mV
A-K 極間加/測(cè)流精度:                1%+10nA+20pA/V
G-K 極間加/測(cè)壓精度:                1%+5mV
G-K 極間加/測(cè)流精度:                1%+10nA+20pA/V
電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性:                  2%
2. 可測(cè)試器件(DUT)種類

序號(hào)
類型名稱
符號(hào)
1
二極管
DIODE
2
穩(wěn)壓(齊納)二極管
ZENER
3
晶體管
TRANSISTOR(NPN/PNP)
4
單向可控硅(普通晶閘管)
SCR
5
雙向可控硅(雙向晶閘管)
TRIAC
6
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
MOSFET(N-CH/P-CH)
7
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
J-FET(N-CH/P-CH)
8
絕緣柵雙*功率晶體管
IGBT(N-CH/P-CH)
9
達(dá)林頓陣列器件
DARLINGTON
10*
光電耦合器
OPTO-COUPLER(NPN/PNP)
11*
光電邏輯器件
OPTO-LOGIC
12*
光電開關(guān)管
OPTO-SWITCH
13*
固態(tài)過壓保護(hù)器
SSOVP
14*
硅觸發(fā)開關(guān)
STS,SBS

 
共計(jì)14大類。
* 需要另行定制專門的測(cè)試適配器和測(cè)試夾具。
 
3.技術(shù)特征
     該系統(tǒng)產(chǎn)品為供方引進(jìn)的合作技術(shù)項(xiàng)目,功率電源等方面采用新的航天技術(shù)做了改進(jìn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)同于進(jìn)口產(chǎn)品,測(cè)試穩(wěn)定性、可靠性高于進(jìn)口產(chǎn)品,故障率明顯低于進(jìn)口產(chǎn)品。代表了目前*技術(shù)水平。具有下面特征:
* 采用嵌入式計(jì)算機(jī),運(yùn)行速度快,擴(kuò)展能力強(qiáng),實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行;
* 采用高速16位并行D/A、A/D和并行內(nèi)部總線技術(shù)設(shè)計(jì),速度快、穩(wěn)定性高;
* 采用脈沖法測(cè)試參數(shù)、脈寬可為300μS,占空比可達(dá)1/3000以上;
* 采用多級(jí)開爾文技術(shù),系統(tǒng)穩(wěn)定性高,測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確,重復(fù)性好;
* 在線系統(tǒng)狀態(tài)、測(cè)試結(jié)果、故障定位顯示功能,使得使用方便簡(jiǎn)單;
* 完整的系統(tǒng)自檢、校準(zhǔn)能力,10分鐘將系統(tǒng)故障定位到元件級(jí),30分鐘完成系統(tǒng)精度檢測(cè);
* 完整的軟、硬件升級(jí)/擴(kuò)展功能;
* DUT引腿接觸性測(cè)試、加壓限流能力、A-K短路保護(hù)、過壓/過流保護(hù)等能力,保證了系統(tǒng)安全,有效防止DUT損傷;
* 關(guān)鍵元器件均采用進(jìn)口原裝,精密電阻采用國(guó)產(chǎn)軍級(jí),全部采用進(jìn)口原裝濕型繼電器,裝焊工藝現(xiàn)已采用航天工藝線代工,保證系統(tǒng)可靠性高于進(jìn)口產(chǎn)品;
* 二極管極性自動(dòng)判別功能,不需人工關(guān)注極性,提高操作速度,減少失誤;
* 填表式編程,3分鐘內(nèi)即可完成一個(gè)新器件編程;
* 混合參數(shù)編程方式,使電參數(shù)測(cè)試編程不受器件類別的限制,支持技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)分析編程;
* 單參數(shù)測(cè)試延時(shí)功能,用戶可根據(jù)需要選擇參數(shù)測(cè)試延遲時(shí)間,增加參數(shù)測(cè)試穩(wěn)定性;
* 提供系統(tǒng)內(nèi)部流性負(fù)載、阻性負(fù)載選擇和外部負(fù)載接口,zui大極限地滿足測(cè)試需求;
* 計(jì)算步功能,允許將任意測(cè)試程序步的測(cè)試結(jié)果列式計(jì)算,形成新的參數(shù),方便新參數(shù)定義;
* 分類、分檔功能,以便通過編程確定DUT的同異性,測(cè)試后自動(dòng)分類、分檔、配對(duì)等,提高
DUT使用價(jià)值;
* 單步測(cè)試功能,用于對(duì)單個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)將測(cè)試結(jié)果值在前面板上顯示,方便在線分析;
* 完整的其它后測(cè)試處理能力;
* 所有測(cè)試夾具進(jìn)行了誤差補(bǔ)償和噪聲抑制設(shè)計(jì)。
熱門產(chǎn)品
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