涂層測(cè)厚儀/測(cè)厚儀/數(shù)字式涂層測(cè)厚儀  型號(hào)：DP-TT240

涂層測(cè)厚儀/測(cè)厚儀/數(shù)字式涂層測(cè)厚儀  型號(hào)：DP-TT240產(chǎn)品概述：

    本儀器是種手持式測(cè)量?jī)x，它能快速、無(wú)損傷、地測(cè)量非磁性金屬基體上非導(dǎo)電覆蓋層的厚度?？蓮V泛用于在制業(yè)、金屬加工業(yè)、化工業(yè)、商檢等檢測(cè)域。本儀器是材料保護(hù)業(yè)的儀器。本儀器符合以下標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 4957─1985 非磁性金屬基體上非導(dǎo)電覆蓋層厚度測(cè)量 渦流方法 JB/T 8393─1996 磁性和渦流式覆層厚度測(cè)量?jī)x JJG 818─93 《電渦流式測(cè)厚儀》

涂層測(cè)厚儀/測(cè)厚儀/數(shù)字式涂層測(cè)厚儀  型號(hào)：DP-TT240功能點(diǎn)：

    本儀器采用了渦流測(cè)厚法，可無(wú)損傷地測(cè)量非磁性金屬基體上非導(dǎo)電覆蓋層的厚度（如銅、鋁、鋅、錫等基底上的琺瑯、橡膠、油漆鍍層）
z 具有兩種測(cè)量方式：連續(xù)測(cè)量方式（CONTINUE）和單次測(cè)量方式（SINGLE）；
z 具有兩種工作方式：直接方式（DIRECT）和成組方式（APPL）；
z 設(shè)有五個(gè)統(tǒng)計(jì)量：平均值（MEAN）、Z大值（MAX）、Z小值（MIN）、測(cè)試次數(shù)（NO．）、標(biāo)準(zhǔn)偏差（S．DEV）；
z 可行零點(diǎn)校準(zhǔn)和二點(diǎn)校準(zhǔn)，并可用基本校準(zhǔn)法對(duì)測(cè)頭的系統(tǒng)誤差行修正；
z 具有存貯功能：可存貯350 個(gè)測(cè)量值；
z 具有刪除功能：對(duì)測(cè)量中出現(xiàn)的單個(gè)可疑數(shù)據(jù)行刪除，也可刪除存貯區(qū)內(nèi)的所有數(shù)據(jù)，以便行新的測(cè)量；
z 可設(shè)置限界：對(duì)限界外的測(cè)量值能自動(dòng)報(bào)警；
z 具有打印：可打印測(cè)量值、統(tǒng)計(jì)值；
z 具有與PC 機(jī)通訊的功能：可將測(cè)量值、統(tǒng)計(jì)值傳輸至PC 機(jī)，以便對(duì)數(shù)據(jù)行步處理；
z 具有電源欠壓指示功能；
z 操作過(guò)程有蜂鳴聲提示；
z 具有錯(cuò)誤提示功能；
z 具有自動(dòng)關(guān)機(jī)功能

涂層測(cè)厚儀/測(cè)厚儀/數(shù)字式涂層測(cè)厚儀  型號(hào)：DP-TT240參數(shù)：

基本配置：

z主機(jī)
z標(biāo)準(zhǔn)片套（50um 100um 200um 500um 1000um）
z鋁基體
z二節(jié)AA型（5號(hào)）1.5V電池
z儀器保護(hù)套

可選附件：DP-TA230打印機(jī)

四探針電阻率測(cè)試儀／四探針電阻率/方阻測(cè)定儀 型號(hào)：DP-2253
概述
  
      DP-2253型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济?A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
    儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等部分組成。
    主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成，USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開(kāi)關(guān)輸入；具有零位、滿度自校功能；測(cè)試功能可自動(dòng)/手動(dòng)方式；儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作成，也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上立操作成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示，也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打??！
    探頭選配：根據(jù)不同材料性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配用探頭，也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
    測(cè)試臺(tái)選配：般四探針?lè)y(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。二探針?lè)y(cè)試電阻率測(cè)試選DP-K型測(cè)試臺(tái)，也可選配DP-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率，選配DP-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。
      
    儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、 化程度、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等點(diǎn)。
    儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
3.1  測(cè)量范圍
     電  阻：1×10-4～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω
    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)
     直    徑：DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.
    長(zhǎng)()度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：
    (1)量程： 20.00mV～2000mV
   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字
3.4 數(shù)控恒流源
    (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A
   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字
3.5 四探針探頭（選配其或加配全部）
    (1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)
   (2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào)
3.6. 電源
    輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W
3.7.外形尺寸：
    主   機(jī)  220mm（長(zhǎng)）×245 mm（寬）×100mm（）
   凈   重：≤2.5kg

數(shù)字式四探針測(cè)試儀/電阻率/方阻測(cè)試儀 型號(hào)：DP-2258C
 
概述
      DP-2258C型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā?、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济?A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。 
      儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)等部分組成。 
主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；電壓電流全自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀贈(zèng)設(shè)測(cè)試結(jié)果分類功能，Z大分類10類。 
      探頭選配：根據(jù)不同材料性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配用探頭，也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。 
      測(cè)試臺(tái)選配：般四探針?lè)y(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。二探針?lè)y(cè)試電阻率測(cè)試選DP-K型測(cè)試臺(tái)，也可選配DP-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率，選配DP-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。詳見(jiàn)《四探針儀器、探頭和測(cè)試臺(tái)的點(diǎn)與選型參考》 
儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、 化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等點(diǎn)。 
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。 
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率（括號(hào)內(nèi)為可向下拓展1個(gè)數(shù)量） 
    電    阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103  Ω,    分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103  Ω 
               （1.0×10-6 ～ 20.00×103  Ω,    分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω） 
    電 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm   分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103  Ω-cm 
               （1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm） 
    方塊電阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 Ω/□    分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103  Ω/□  
               （5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□  分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103  Ω/□） 
2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定) 
    直    徑： DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限 
    DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限. 
     長(zhǎng)()度：  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限. 
     測(cè)量方位:  軸向、徑向均可 
3. 量程劃分及誤差等 
滿度顯示 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 
常規(guī)量程 kΩ-cm/□ kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ --- 
Z大拓展量程 --- kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ mΩ-cm/□ 
基本誤差 ±2%FSB
±4LSB ±1.5%FSB
±4LSB ±0.5%FSB±2LSB ±0.5%FSB
±4LSB ±1.0%FSB
±4LSB
 
4.工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W 
5.外形尺寸： 245mm（長(zhǎng)）×220 mm（寬）×95mm（）  
   凈   重：≤1.5～2.0kg

數(shù)字式四探針測(cè)試儀/電阻率/方阻測(cè)試儀　型號(hào)：DP-2258A

概述
       DP-2258A型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā?、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济?A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)等部分組成。
      主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；電壓電流全自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀贈(zèng)設(shè)測(cè)試結(jié)果分類功能，Z大分類10類。
      探頭選配：根據(jù)不同材料性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配用探頭，也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
      測(cè)試臺(tái)選配：般四探針?lè)y(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。二探針?lè)y(cè)試電阻率測(cè)試選DP-K型測(cè)試臺(tái)，也可選配DP-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率，選配DP-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。

       儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、 化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等點(diǎn)。
       儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率（可向下拓展1～3個(gè)數(shù)量，括號(hào)內(nèi)為向下拓展3個(gè)數(shù)量）
     電    阻：1.0×10-3 ～ 200.0×105  Ω,    分辨率0.1×10-3 ～ 0.1×104  Ω
                （1.0×10-6 ～ 200.0×102  Ω,    分辨率0.1×10-6 ～ 0.1×102 Ω）
     電 阻 率：1.0×10-3 ～ 200.0×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-3 ～ 0.1×103  Ω-cm
                （1.0×10-6 ～ 200.0×101 Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ～ 0.1×101  Ω-cm）
     方塊電阻：5.0×10-3 ～ 100.0×104 Ω/□  分辨率0.5×10-3 ～ 0.1×103  Ω/□ 
                （5.0×10-6 ～ 100.0×101 Ω/□  分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×101  Ω/□）
2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)
   直    徑： DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
   DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.
   長(zhǎng)()度：  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
   測(cè)量方位:  軸向、徑向均可
3. 量程劃分及誤差等
滿度顯示 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 200.0 
常規(guī)量程 kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ 
Z大拓展量程 Ω-cm/□ mΩ-cm/□ μΩ-cm/□ 
基本誤差 ±2%FSB
±4LSB ±1.5%FSB
±4LSB ±0.5%FSB±2LSB ±0.5%FSB
±4LSB

4) 工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W
5) 外形尺寸：W×H×L=215mm×85mm×190mm 
      凈   重：≤1.5～2.0kg

微量移液器/移液器/微量移液槍 型號(hào)：DP27026
產(chǎn)品參數(shù)：
1µL～10µL/20µL～200µL/100µL～1000µL/500µL～5000µL

注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對(duì)應(yīng)的