———常溫型近紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:0.8-1.7μm
三種常溫型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外觀設(shè)計(jì),其中:
◆ DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs探測(cè)元件(光譜響應(yīng)度曲線(xiàn)參考圖1)
◆ DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs探測(cè)元件(光譜響應(yīng)度曲線(xiàn)參考圖2)
◆ DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs探測(cè)元件(光譜響應(yīng)度曲線(xiàn)參考圖3)
參 數(shù) | 測(cè)試條件 | DInGaAs1600 | 測(cè)試條件 | DInGaAs1650 | 測(cè)試條件 | DInGaAs1700 | ||||||
zui小值 | 典型值 | zui大值 | zui小值 | 典型值 | zui大值 | zui小值 | 典型值 | zui大值 | ||||
光敏面直徑(mm) | | 1.5 | | 5 | | 5 | ||||||
光譜響應(yīng) | | 900-1600 | | 800-1650 | | 800-1700 | ||||||
范圍(nm) | ||||||||||||
響應(yīng)度Re(A/W) | | | | | | | | | @850nm | 0.1 | 0.2 | |
VR=0V @1300nm | 0.8 | 0.85 | - | VR=10mV @1310nm | - | 0.75 | - | @1300nm | 0.8 | 0.9 | | |
VR=0V | 0.85 | 0.9 | - | VR=10mV @1550nm | - | 0.8 | - | 峰值@1550nm | | 0.95 | | |
@1550nm | ||||||||||||
暗電流Io(nA) | VR=0V | | 0.1 | 1 | | | 10 | | VR=0V | | 5 | 10 |
NEP (pW Hz-1/2) | | | | | | | | | @1550nm | 0.28 | | |
信號(hào)輸出 模式 | | 電流 | | 電流 | | 電流 | ||||||
輸出信號(hào) 極性 | | 正(P) | | 正(P) | | 正(P) |
——TE制冷型近紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì),其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件,光譜響應(yīng)曲線(xiàn)參考圖如下:
型號(hào)/參數(shù) | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
光敏面直徑(mm) | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
波長(zhǎng)范圍(nm) | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
峰值響應(yīng)度(A/W) | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
D*(典型值) | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
NEP(典型值) | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
溫控器型號(hào) | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
探測(cè)器溫度(℃) | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
溫度穩(wěn)定度(℃) | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
環(huán)境溫度(℃) | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)極性 | 正(P) | 正(P) | 正(P) | 正(P) | 正(P) |
備注 | 制冷模式時(shí)須使用溫控器(型號(hào):ZTC) *使用前置放大器型號(hào):ZPA-7 |
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZPA-7(Page85)做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時(shí),建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè),在制冷模式時(shí)須使用溫控器(型號(hào):ZTC)進(jìn)行降溫控制;