一、半導(dǎo)體管圖示儀YB6600特點(diǎn)
1. 基于計(jì)算機(jī)顯示
2. 多種器件的多種曲線
3. 數(shù)據(jù)點(diǎn)是可控的
4. 增量可以是線性或?qū)?shù)
5. 可控的關(guān)斷時(shí)間，以減小器件發(fā)熱
6. 可保存和調(diào)用曲線程序
7. 保存和調(diào)用先前捕獲的曲線圖片
8. *自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到EXCEL
9. 預(yù)置zui大電壓和zui大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
10. 存儲(chǔ)/調(diào)用測(cè)試程序
11. 多樣的連續(xù)曲線
12. 在測(cè)試程序中的電流限制
13. 使用方便
①選擇曲線 ②輸入范圍 ③按下啟動(dòng)
14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線
二、半導(dǎo)體管圖示儀YB6600范圍
電壓
2000V
20V
電流
50A（100A可選）
10A
分辨率
1MV
0.1NA
0.1毫歐的導(dǎo)通電阻
三、半導(dǎo)體管圖示儀YB6600可實(shí)現(xiàn)曲線
1、Mosfet（N-Channel＆P- Channel）（金屬-氧化物-半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管）
ID vs VDS （在VGS范圍內(nèi)）
ID vs VGS （在一個(gè)固定的ID）
IS vs VSD
RDS vs VGS（在一個(gè)固定的VDS）
RDS vs ID （在VGS范圍內(nèi)）
2、Transisitor（晶體管）
HFE vs IC
BVCE（O.S.R.V） vs IC
BVEBO vs IE
BVCBO vs IC
VCE（SAT）（在一定的IC/IB比率）
VCE（SAT） vs IB（在IC的范圍內(nèi)）
VBE（SAT） vs IB （在一定的IC/IB比率）
VBE（ON） vs IC （在一定的VCE）
3、IGBT（N-Channel＆P- Channel）（絕緣柵雙極晶體管）
IC vs VCE （在VGE范圍內(nèi)）
IC vs VGE （在一定的VCE）
ICES vs VCE
IF vs VF
4、DIODE （二極管）
IR vs VR
5、ZENER （穩(wěn)壓管）
IF vs VF
IR vs VR
6、TRIAC （雙向可控硅）
IT vs VT（+/-） （在一個(gè)固定的IG）
7、SCR （單項(xiàng)可控硅）
IT vs VTM （在一個(gè)固定的IG）
8、SSVOP（固態(tài)過壓保護(hù)器）
IT vs VT（+/-） （在一個(gè)固定的IBO）
9、SIDAC（高壓觸發(fā)二極管）
IT vs VT（+/-） （在一個(gè)固定的IBO）
10、DIAC（雙向觸發(fā)二極管）
ID vs VF（+/-）
11、REGULATOR（穩(wěn)壓器）
Electronic Load vs V OUT（在一個(gè)固定zui大電流）
12、J-FET（（N-Channel＆P- Channel）） （結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
ID（OFF） vs VDS（在VGS范圍內(nèi)）
ID（OFF） vs VGS（在一個(gè)固定的VDS）
ID（ON） vs VDS（在VGS范圍內(nèi)）
ID（ON） vs VGS（在一個(gè)固定的VDS）
13、Curve Tracer Mode Only（曲線跟蹤模式）
IC vs VCE（在一個(gè)固定的IB）
