一、YB6600晶體管圖示儀特點(diǎn)
1. 曲線基于計(jì)算機(jī)顯示
2. 多種器件的多種曲線
3. 數(shù)據(jù)點(diǎn)是可控的
4. 增量可以是線性或?qū)?shù)
5. 可控的關(guān)斷時(shí)間,以減小器件發(fā)熱
6. 可保存和調(diào)用曲線程序
7. 保存和調(diào)用先前捕獲的曲線圖片
8. *自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到excel
9. 預(yù)置zui大電壓和zui大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
10. 存儲(chǔ)/調(diào)用測(cè)試程序
11. 多樣的連續(xù)曲線
12. 在測(cè)試程序中的電流限制
13. 使用方便
①選擇曲線 ②輸入范圍 ③按下啟動(dòng)
14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線
二、YB6600晶體管圖示儀系統(tǒng)指標(biāo)
a-k 極間加壓范圍: ±2.500mV—2000V
a-k 極間測(cè)流范圍: ±100pA--49.90A
a-k 極間加流范圍: ±100na--49.90A
a-k 極間測(cè)壓范圍: ±2.500mV—2000V
g-k 極間加壓范圍: ±2.500mV—20V
g-k 極間測(cè)流范圍: ±100pA—10A
g-k 極間加流范圍: ±100nA—10A
g-k 極間測(cè)壓范圍: ±2.500mV—20V
a-k 極間加/測(cè)壓精度: 1%+10mV
a-k 極間加/測(cè)流精度: 1%+10nA+20pA/V
g-k 極間加/測(cè)壓精度: 1%+5mV
g-k 極間加/測(cè)流精度: 1%+10nA+20pA/V
電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性: 2%
zui大電壓分辨率: 1mV
zui大電流分辨率: 0.1nA
三、YB6600可實(shí)現(xiàn)曲線(13類器件32種曲線)
1、mosfet(n-channel&p- channel)(金屬-氧化物-半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管)
id vs vds (在vgs范圍內(nèi))
id vs vgs (在一個(gè)固定的id)
is vs vsd
rds vs vgs (在一個(gè)固定的vds)
rds vs id (在vgs范圍內(nèi))
2、晶體管(transisitor)
hfe vs ic
bvce(o.s.r.v) vs ic
bvebo vs ie
bvcbo vs ic
vce(sat)(在一定的ic/ib比率)
vce(sat) vs ib(在ic的范圍內(nèi))
vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率)
vbe(on) vs ic (在一定的vce)
3、igbt(n-channel&p- channel)(絕緣柵雙極晶體管)
ic vs vce (在vge范圍內(nèi))
ic vs vge (在一定的vce)
ices vs vce
if vs vf
4、diode (二極管)
if vs vf
ir vs vr
5、zener (穩(wěn)壓管)
if vs vf
ir vs vr
6、triac (雙向可控硅)
it vs vt(+/-) (在一個(gè)固定的ig)
7、scr (單項(xiàng)可控硅)
it vs vtm (在一個(gè)固定的ig)
8、ssvop(固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器)
it vs vt(+/-) (在一個(gè)固定的ibo)
9、sidac(高壓觸發(fā)二極管)
it vs vt(+/-) (在一個(gè)固定的ibo)
10、diac(雙向觸發(fā)二極管)
id vs vf(+/-)
11、regulator(穩(wěn)壓器)
electronic load vs v out(在一個(gè)固定zui大電流)
12、j-fet((n-channel&p- channel)) (結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
id(off) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
id(off) vs vgs(在一個(gè)固定的vds)
id(on) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
id(on) vs vgs(在一個(gè)固定的vds)
13、curve tracer mode only(曲線跟蹤模式)
ic vs vce(在一個(gè)固定的ib)