低頻功率信號發(fā)生器 - 型號:DP-ZN1040C
低頻功率信號發(fā)生器 - 型號:DP-ZN1040C產(chǎn)品介紹
DP-ZN1040C是臺寬頻低頻功率信號發(fā)生器。由DDS數(shù)字頻率合成產(chǎn)生,1Hz~1MHz正弦波信號、方波信號及TTL邏輯電平信號,其正弦波信號具有頻率穩(wěn)定度、失真小、頻響好、以及標(biāo)準(zhǔn)的600Ω輸出阻抗等點。同時正弦波具有較大的輸出功率,很小的波形失真,準(zhǔn)確的輸出電壓。具有8Ω、50Ω、600Ω、5kΩ四種匹配阻抗。輸出電壓為0.1mV~200V。屏顯采用LCD,操作簡便。本儀器是臺性價比的通用測量儀器,可供工廠、實驗室、科研單位、大院校使用,是臺用途很廣的教學(xué)儀器。
1、低頻功率信號發(fā)生器 - 型號:DP-ZN1040C頻率:
頻率范圍1Hz~1MHz
頻率準(zhǔn)確度:<±0.003% ±0.5Hz
頻率穩(wěn)定度:5×10-6/小時
2、正弦波電壓輸出:
電壓范圍:0~200V(連續(xù)可調(diào))
額定電壓輸出:
匹配阻抗:8Ω檔:f=10Hz~500kHz不小于6.3V;
50Ω檔:f=10Hz~500kHz不小于20V;
600Ω檔:f=10Hz~500kHz不小于63V;
5kΩ檔:f=10Hz~200kHz不小于200V。
額定電壓誤差≤±1dB
屏顯電壓誤差:在各檔標(biāo)稱值范圍內(nèi)<±5% ±1V
額定電壓失真:f=20Hz~20kHz≤0.5%
3、額定功率輸出:
匹配阻抗:8Ω、50Ω、600Ω、5kΩ四種。
額定匹配功率:≥5W
8Ω檔:f=10Hz~500kHz≥6.3V;
50Ω檔:f=10Hz~500kHz≥15.8V;
600Ω檔:f=10Hz~500kHz≥55V;
5kΩ檔:f=10Hz~200kHz≥158V。
額定功率失真:20Hz~20kHz≤0.5%
額定功率時電壓誤差:≤±1.5dB
4、衰減輸出:
電壓:0~6V(開路)
阻抗:600Ω±10%
電壓失真:10Hz~200kHz<0.5%
衰減器誤差:0~80dB±1dB f≤500kHz
5、脈沖信號:
方波輸出:0~20VP-P
方波上升、下降:f=10kHz VP-P =20V 小于0.7μs
方波部傾斜:f=100Hz 小于7%
TTL信號幅度:電平4.5V±0.5V,低電平小于0.3V
TTL信號下降時間:<0.1μs
TTL帶負(fù)載能力:≥25mA
6、尺寸:134×360×420mm
7、重量:約11.5kg
直流數(shù)字電壓表/數(shù)字電壓表/電壓表 型號:DP-PZ158A型
DP-PZ158A系列直流數(shù)字電壓表具有6½位顯示,可測量0.1µV—1000V直流電壓。該表由于采用了微處理器和脈沖調(diào)寬模數(shù)轉(zhuǎn)換,自動校零,數(shù)字模擬濾波等,從而賦予本表其穩(wěn)定的零位和良好的線性和抗干擾能力,本表還帶有RS232C接口,可方便地與計算機系統(tǒng)相連接,組成數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。采用八位VFD或LED顯示,其中DP-PZ158A/1為單量程(0.2V)VFD顯示,讀數(shù)清晰,光色柔和,適宜在科研、工業(yè)、防等各種域內(nèi)使用。
直流數(shù)字電壓表 數(shù)據(jù)
基本誤差:0.2V 量程 ±(0.003%RD+0.0025%FS)
2V 量程 ±(0.002%RD+0.0005%FS)
20V、200V、1000V 量程 ±(0.0025%RD+0.0006%FS)
Z大顯示模數(shù):2200000
環(huán)境溫度:5—40℃
相對濕度:20—80%
供電電源:220V 50Hz
測量速度:1.2次/秒
外形尺寸:88×235×360mm
重量:<3.5kg
四探針樣品測試平臺/樣品測試平臺 型號:DP-SB120/2型
DP-SB120/2型四探針樣品測試平臺是DP-SB120/1測試平臺的改型。其有底座、支架、旋動部件、樣品平臺、四探針及接線板等組成。由于其整個結(jié)構(gòu)及旋動方式都在原DP-SB120/1的基礎(chǔ)上作了很大的改,故在校的物理實驗及科學(xué)研究總為導(dǎo)體/半導(dǎo)體的電阻和電阻率的測試、研究提供了較大的方便。
線圈平臺/亞歐德鵬線圈平臺 型號:DP-SB120
線圈平臺可用于校的物理教育實驗。
其中:DP-SB120線圈平臺及DP-SB120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率行測試及研究。
該實驗平臺由帶360º刻度的底盤,安裝在底盤內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤,安裝在底盤上的樣品平臺(低可調(diào))以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成DP-SB100/1樣品平臺。
DP-SB120線圈平臺主要增加了二個相同類型的亥姆霍茲磁場線圈,分別安置在樣品平臺的兩側(cè),且固定在可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤兩邊上,樣品平臺位于磁場的中心,在其通電0-60V/5A的情況下,可確保產(chǎn)生磁場0-150奧斯。
該實驗平臺為被測樣品在磁場及非磁場情況下,對其的測試研究提供了方便。
四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測量儀 型號:DP-SB100A/20A
DP-SB100A/20A是DP-SB100A/20的升版,其為用戶提供了使用DP-SB100A/20行四探針測試及實驗的配套軟件,可運行于PC機上,能兼容運行在Winxp和Win7系統(tǒng)中,用于自動獲取實驗臺的實驗數(shù)據(jù),并根據(jù)條件生成曲線和報表,輔助實驗人員自動成實驗,直觀的分析數(shù)據(jù),獲得實驗結(jié)論,保存實驗數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
該測量儀由DP-SB118/20型電壓電流源,DP-PZ158A型直流數(shù)字電壓表,DP-SB120/2四探針樣品測試平臺及1臺電腦(選購),并附有配套的軟件系統(tǒng)等組成。產(chǎn)品的硬件詳情可參見DP-SB100A/20及相應(yīng)產(chǎn)品的介紹 。
該產(chǎn)品的軟件系統(tǒng)為用戶提供參數(shù)設(shè)置、實驗流程、實驗方式、數(shù)據(jù)分析、曲線報表,并在后臺數(shù)據(jù)庫中行長期保存,實驗人員可以查詢以前的任何次實驗的結(jié)果、所有的曲線和報表都可提供打印功能。
DP-SB118/20型直流電壓電流源 (帶RS232C接口,詳見該產(chǎn)品使用說明書)
l 直流電壓源:輸出電壓范圍 0~50V 分20mV、200mV、2V、20V、50V五檔,每檔輸出電壓可連續(xù)調(diào)節(jié),Z分辨力為1µV,基本誤差為0.1%。
l 直流電流源:輸出電流范圍 0~200mA 分20µA、200µA、2mA、20mA、200mA五檔,每檔輸出電流可連續(xù)調(diào)節(jié),Z分辨力為1nA,基本誤差為0.03%。
l 儀器后面板配有二個RS232C接口,,個為DP-PZ158A/RS232C接口連接至DP-PZ158A,另個為PC/RS232C接口連接至PC機上,可利用PC機上的“終端”獲得儀器的測量數(shù)據(jù)。
DP-PZ158A型數(shù)字電壓表(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
可測量0~1000V直流電壓 具有200mV、2V、20V、200V、1000V五檔量程,Z分辨力為0.1µV,基本誤差為0.003%。
DP-SB120/2四探針樣品平臺(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
為被測薄膜樣品,利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。
注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應(yīng)的