丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光測年儀
丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)是Risø國家實驗室設(shè)計生產(chǎn)的，是一代的熒光讀出系統(tǒng)，即能測量熱釋光又能測量光釋光。Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)包括：光探測系統(tǒng)、熱釋光系統(tǒng)、光釋光系統(tǒng)，輻照系統(tǒng)等子系統(tǒng)組成。
丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)是Risø國家實驗室設(shè)計生產(chǎn)的，是一代的熒光讀出系統(tǒng)，即能測量熱釋光又能測量光釋光。Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)包括：光探測系統(tǒng)、熱釋光系統(tǒng)、光釋光系統(tǒng)，輻照系統(tǒng)等子系統(tǒng)組成。
丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光測年儀
（1）特點
全自動可編程電腦控制；
同時測量48個樣品；
加熱溫度可在室溫-700℃之間調(diào)節(jié)；
可進行樣品的紅外釋光（IRSL）、藍光釋光(BLSL)和熱釋光(TL)測量；
光激發(fā)有線性調(diào)制OSL模式和脈沖OSL模式；
單個樣品可被α和β放射源(90Sr/90Y和 241Am)或小型的X-射線發(fā)生器照射。
丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光測年儀
（2）光探測系統(tǒng)
光探測系統(tǒng)測量發(fā)出的熒光，光探測系統(tǒng)包括一個光電倍增管和相配的濾光片。樣品室 可編程，進行熱釋光測量時可抽真空，計算機控制氮氣輸入，使加熱后的樣品能快速冷卻。
標(biāo)準(zhǔn)的Risø讀出器有配套的濾光片：
75mm Hoya U-340
2mm Schott BG 39
4mm Corning 7-59
丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光測年儀
（3）熱釋光系統(tǒng)
利用位于PMT下的加熱元件就可進行熱激發(fā)。加熱元件有兩個功能：1）加熱樣品 2）把樣品提升到測量位置。
樣品加熱到700°C，升溫速率可在0.1-10 K/s.之間選擇。氮氣流冷卻電熱絲，防止加熱系統(tǒng)在高溫情況下被氧化。
（4）光釋光系統(tǒng)
使用發(fā)光二極管陣列進行光激發(fā)，包括CW和LM-OSL激發(fā)。發(fā)光二極管陣列配有光反饋服務(wù)系統(tǒng)來確保激發(fā)功率的穩(wěn)定。二極管和樣品之間的距離大約為20mm。標(biāo)準(zhǔn)Risø TL/OSL讀出器裝有兩個光激發(fā)源：
紅外光源(波長870nm)zui高激發(fā)能量可達140mW/cm2或者更高,并能在zui大值的0-之間任意調(diào)整；
藍光光源(波長470nm)zui高激發(fā)能量不小于50mW/cm2。
（5）輻照系統(tǒng)
系統(tǒng)有三種輻照方式：β，α和X射線輻照。用軟件來控制輻射類型，并允許單個輻射。
β輻射
Beta輻照器可拆分開，通常配有1.48 GBq (40 mCi) 90Sr/90Y β源，能發(fā)射zui大能量為2.27Mev的β粒子。在樣品位置的石英劑量率大約為0.1 Gy/s。源和樣品之間的距離為5mm，在輻照器和測量室之間有一個0.125mm的鈹窗，并充當(dāng)一個真空接口。
α輻射
α輻照器通常都配有一個10.7 MBq (290 mCi) 241Am源，是一個混合α/γ輻射體。α能量為5.49 MeV (85.1%)，主要的γ能量為59keV。源通過氣驅(qū)動快門控制。在樣品位置的石英劑量率大約為45 mGy/s. γ輻照器和系統(tǒng)蓋和密封軸結(jié)合在儀器阻止在X射線輸出穩(wěn)定之前樣品輻射。
X射線輻射
X射線燈絲型輻照器的的X射線：Varian VF-50J X-γ射線管 (50 kV, 1 mA, 50 W).動態(tài)劑量率范圍（50mm Al過濾）：當(dāng)安裝在標(biāo)準(zhǔn)的OSL/TL讀出器上時，10 mGy/s - 2 Gy/s。
（6）應(yīng)用領(lǐng)域
考古和地質(zhì)年代測定；
已發(fā)事故劑量測量；
輻射食品檢測；
熒光研究。
（7）技術(shù)參數(shù)
TL：可從室溫加熱到700℃，升溫率可在0.1 K/s -10 K/s之間編程調(diào)節(jié)。恒溫TL可在任何固定溫度下操作。
OSL：
藍色LED（波長470nm）激發(fā)：50 mW/cm2；
紅外LED（波長870nm）激發(fā)：145 mW/cm2；
可在任何溫度下調(diào)控。
輻射源選擇：
β(90Sr/90Y)陶瓷源 (1.48 GBq)劑量率（石英）： 0.1 Gy/s；
α(241Am)源(10.7 MBq)劑量率（石英）：45 mGy/s；
X射線發(fā)生器(50 kV, 1 mA)動態(tài)劑量率（石英）：10 mGy/s-2 Gy/s。
單顆粒OSL：
聚焦綠色激光激發(fā)(532nm)：50 W/cm2；
可選擇：IR激光激發(fā) (830 nm)：~ 500 W/cm2；
電源： 100-240 V 50/60 Hz (120 W)。
