特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 寬頻段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探測(cè)區(qū)域0.2mm2(SG01M-51LENS敏感區(qū)域?yàn)?/span>11.0mm2,可探測(cè)非常弱的輻射)
4. 10mW/cm2峰值輻射照度產(chǎn)生約2600nA電流(10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS約140nA)
5. 芯片高度穩(wěn)定性(通過(guò)德國(guó)PTB認(rèn)證)
關(guān)于碳化硅材料(SiC):
SiC可承受輻射硬度,近乎*的可見(jiàn)盲區(qū),低暗電流,高速響應(yīng)和低噪音的*屬性;這些功能使SiC成為可見(jiàn)盲區(qū)紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以*工作在高達(dá)170℃的溫度中,信號(hào)(響應(yīng)率)的溫度系數(shù)也很低,<0.1%/K。由于(fA級(jí)別的暗電流)噪音低,很低的紫外線輻射強(qiáng)度也可以可靠地測(cè)量,(需要適當(dāng)?shù)姆糯笃鳎?/span>
SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測(cè)設(shè)備或帶有光學(xué)濾波器,提供對(duì)UVA、UVB、UVC波段的響應(yīng)。