三菱IGBT第5代L1系列IPM

三菱IGBT 英飛凌IGBT模塊 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito。。ｃｏｍ 深圳市亨力拓電子有限公司

L1系列IPM通過(guò)采用低功耗IGBT減少了噪聲的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了高性能和環(huán)保的兩者兼顧。另外，由于同系列IPM
600V/1200V產(chǎn)品封裝相同，從而也有助于實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。
由于采用CSTBTTM，實(shí)現(xiàn)了低功耗。影響噪聲產(chǎn)生的輸出電流在小電流范圍內(nèi)時(shí)放慢開(kāi)關(guān)速度，以此降低IPM
放射噪聲。因此不需要噪聲濾波器，使得裝置的小型化和高性能化成為可能。
小型?新封裝
◆ 50～150A/600V, 25～75A/1200V的模塊開(kāi)發(fā)了新的小型封裝。～75A的模塊，除了主端子是螺絲型的模
塊外，還有一部分節(jié)省空間的針型引腳的模塊產(chǎn)品線(xiàn)。
◆ 450～600A/600V, 200～450A/1200V容量級(jí)的模塊*次開(kāi)發(fā)出內(nèi)含6單元IGBT的小型封裝。
◆ 200～300A/600V, 100～150A/1200V在開(kāi)發(fā)了新封裝的同時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了與原來(lái)的S-DASH系列的兼容。
低功耗
◆ 采用了第5代1μm IGBT硅片(CSTBTTM)，降低了功耗，可以減小了散熱器的體積。
縮短了項(xiàng)目開(kāi)發(fā)周期
◆ 內(nèi)置IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
控制電源只需+15V（不需要反向偏壓電源），簡(jiǎn)化了周邊電路的設(shè)計(jì)。
實(shí)現(xiàn)了控制電路CMOS化，降低了控制電路的電力功耗。
◆ 內(nèi)置故障檢測(cè)和保護(hù)電路（短路過(guò)電流、過(guò)溫、控制電源欠壓）。
這樣就減少了原來(lái)的設(shè)計(jì) >> 試制 >> 評(píng)價(jià) >> 再設(shè)計(jì)的多次循環(huán)工作。
不需要防靜電措施
◆ 和雙極性TTL一樣使用，不需要另外針對(duì)IGBT模塊的措施。
注） 并非*不要防靜電措施，只是使用和雙極性IC（TTL等）同樣的靜電措施。
兼容輸入接口
◆ 兼容的控制輸入和Fo輸出的電路設(shè)計(jì)。
所有產(chǎn)品具有兼容的控制輸入端子設(shè)置。相同的封裝簡(jiǎn)化了裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
提高了可靠性
◆ 跟原來(lái)相比，內(nèi)置的保護(hù)電路降低了由于過(guò)載和誤動(dòng)作帶來(lái)?yè)p壞的可能性。
服務(wù)和維修的成本也得到了降低。
IPM的開(kāi)發(fā)需要IGBT硅片、封裝、電路及IC等各個(gè)分支的技術(shù)。
綜上所述，除了使用的器件易于產(chǎn)品化，還要提高可靠性和選擇zui合適的型號(hào)。

性能特點(diǎn)

采用全柵型 CSTBT^TM硅片實(shí)現(xiàn)低損耗
IGBT硅片正*處集成溫度傳感器，過(guò)溫保護(hù)更精確(145℃)
新的結(jié)線(xiàn)技術(shù)使功率循環(huán)能力得到顯著提高
主端子有針腳型和螺絲型兩種形式
與第5代L系列IPM兼容
新增S型七合一封裝(90mm 50mm)
*無(wú)鉛焊接(對(duì)應(yīng)RoHS指令)

應(yīng)用領(lǐng)域

高性能變頻傳動(dòng)裝置，如矢量控制變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器等

封裝尺寸

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