【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】自旋電子學是通過對晶體管中電子自旋角動量的有效操縱，實現(xiàn)自旋信息的存儲、傳輸和處理，被視為未來信息技術發(fā)展的重要方向之一;而自旋軌道耦合效應則提供了一種通過外電場調(diào)控電子軌道運動進而控制電子自旋狀態(tài)的重要途徑。對于結(jié)構(gòu)反演對稱性破缺的體系，靜電勢梯度引發(fā)的自旋軌道耦合作用會導致能帶劈裂，形成一對自旋 -動量鎖定且自旋方向相反的能帶結(jié)構(gòu)，即文獻中提到的Rashba效應，這也是自旋電子學中的重要物理效應之一。有趣的是，鐵電極化也往往源于晶體中心對稱性的破缺，表現(xiàn)出自發(fā)和可切換的自旋極化。這些物理現(xiàn)象引發(fā)了研究人員對開發(fā)鐵電型Rashba半導體這一新型自旋電子學材料的興趣，即利用外電場控制鐵電極化反轉(zhuǎn)來調(diào)控自旋角動量。以往的研究主要集中在尋找Rashba效應和鐵電性共存的單一材料，然而這些材料的Rashba效應相對較小，難以在實驗中觀察到明顯的自旋劈裂。
 

　　針對以上問題，中國科學院上海高等研究院(上海光源中心)的梁兆峰/宋飛研究員團隊提出基于面外極化二維鐵電體和二維層狀材料構(gòu)建具有強界面相互作用的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對鐵電性質(zhì)的調(diào)控，還能顯著增強Rashba自旋劈裂效應。相關成果發(fā)表在凝聚態(tài)物理知名期刊Physical Review B上，題為“Ferroelectric manipulation and enhancement of Rashba spin splitting in van der Waals heterostructures”(Phys. Rev. B.110, 085110)。
 

　　研究團隊選取了實驗上已合成的MX/α-In2Se3(MX = GaTe和InSe)體系，利用第一性原理計算和k·p哈密頓方法，揭示了其Rashba自旋軌道耦合效應的鐵電調(diào)控和增強的物理機制。研究發(fā)現(xiàn)，在GaTe/α-In2Se3異質(zhì)結(jié)中，最低導帶在Gamma點表現(xiàn)出顯著增強的自旋劈裂，其Rashba系數(shù)在鐵電極化向上和向下兩種狀態(tài)下，相較于單層α-In2Se3材料分別增強了約7倍和3倍。這種增強效應來源于層間電荷轉(zhuǎn)移和鏡像對稱性破缺形成的強界面相互作用。這一鐵電調(diào)控和增強機制也適用于其它具有相同對稱性的體系。此外，基于具有四種可切換鐵電極化狀態(tài)的α-In2Se3/GaTe/α-In2Se3夾層結(jié)構(gòu)，進一步驗證了鐵電極化切換可作為調(diào)控Rashba自旋軌道耦合效應的開關和增強的一個自由度。此項研究證明了二維范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)作為潛在鐵電型Rashba半導體的可行性，并對其在自旋電子器件中的潛在應用提供了重要的理論指導。
 

　　論文的第一作者是上海高等研究院上海光源中心在讀博士生梁兆峰，主要通訊作者是上海高等研究院宋飛研究員，合作通訊作者是北京航空航天大學杭州國際創(chuàng)新研究院的華陳強副研究員。此外，浙江工業(yè)大學的王垚副教授和張金森博士在輸運性質(zhì)計算上提供了支持和幫助。本項工作還得到了中科院建制化中心、科技部重點研發(fā)計劃和自然科學基金項目的資助。
 

圖1. 二維異質(zhì)結(jié)中Rashba自旋軌道耦合效應的鐵電調(diào)控和增強示意圖
 

　　圖2. GaTe (InSe)/α-In2Se3異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)與其最低導帶的Rashba自旋紋理