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摘要這些材料利用磁光效應(yīng),即光與磁化介質(zhì)相互作用時(shí)偏振方向的改變,為光學(xué)隔離器、光環(huán)行器和其他磁光設(shè)備提供了基礎(chǔ)。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所空天激光技術(shù)與系統(tǒng)部王俊研究團(tuán)隊(duì)、先進(jìn)激光與光電功能材料部周圣明研究團(tuán)隊(duì)先后在Mg、Si共摻雜TAG磁光陶瓷和應(yīng)用于中紅外波段的YIG磁光陶瓷研究方面取得進(jìn)展,相關(guān)成果分別以“Fabrication of high optical quality TAG ceramics by vacuum sintering and non-stoichiometric Mg2+-Si4+ co-doping”和“Characteristics of Y3Fe5O12 ceramic at mid-infrared wavelengths and its Faraday isolator application”為題發(fā)表于Journal of the European Ceramic Society和Optics & Laser Technology。
 
  磁光材料是一類能夠?qū)⒐庑盘?hào)與磁效應(yīng)聯(lián)系起來的先進(jìn)材料,它們?cè)诠怆娮宇I(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。這些材料利用磁光效應(yīng),即光與磁化介質(zhì)相互作用時(shí)偏振方向的改變,為光學(xué)隔離器、光環(huán)行器和其他磁光設(shè)備提供了基礎(chǔ)。在這些材料中,鋱鋁石榴石(TAG)和釔鐵石榴石(YIG)磁光陶瓷因其獨(dú)特的物理特性而備受關(guān)注。
 
  其中,TAG陶瓷已成為一種很有前景的高功率法拉第隔離器的磁光材料,具有高Verdet常數(shù)、高熱導(dǎo)率、在可見光到近紅外波段的高透過率等優(yōu)點(diǎn),與常用的商用TGG單晶相比,TAG陶瓷的Verdet常數(shù)約高30%,導(dǎo)熱系數(shù)約高14%。優(yōu)良的綜合性能使其在數(shù)百瓦功率的連續(xù)激光下具有更低的熱退偏度和更高的隔離度,適合應(yīng)用于更高功率的激光系統(tǒng)中。在TAG陶瓷燒結(jié)中,MgO和TEOS是常用的添加劑,它們的聯(lián)合使用可在較低的溫度條件下形成SiO2-MgO-Al2O3液相體系,有利于樣品致密化。然而,石榴石中Mg/Si離子固態(tài)溶液的范圍相對(duì)較窄,實(shí)驗(yàn)中殘留的燒結(jié)添加劑很可能是阻礙陶瓷質(zhì)量進(jìn)一步提高的重要因素。
 
圖1 TAG陶瓷(1.5 mm厚)的照片和透過率曲線
 
  研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種鎂硅共摻雜鋱鋁石榴石磁光陶瓷制備方法,該陶瓷獲得了目前采用一步真空固相反應(yīng)燒結(jié)方法制備TAG陶瓷的最高透過率和最低光學(xué)損耗。研究參考過去按照MgO+TEOS重量比添加的TAG陶瓷樣品的最佳組成比,并將其設(shè)計(jì)到晶格中,以探索制備具有較低殘留散射的TAG陶瓷。使用Mg2+和Si4+離子作為TAG晶格的組分,用于非化學(xué)計(jì)量比共摻雜,在不降低MgO和TEOS的絕對(duì)量的情況下,陶瓷在1064 nm處的透過率為82.48 %,光學(xué)損耗為0.048 cm-1,并系統(tǒng)地分析了硅摻雜量對(duì)TAG陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。非化學(xué)計(jì)量的晶格摻雜代替?zhèn)鹘y(tǒng)的燒結(jié)助劑重量比添加,為制備高功率激光系統(tǒng)中其他受殘留燒結(jié)添加劑影響的高質(zhì)量陶瓷提供了有效的解決思路。
 
圖2 TAG陶瓷的XRD精修、晶體結(jié)構(gòu)以及隨著Si4+含量變化的晶格參數(shù)
 
  圖3: Mg2+-Si4+共摻雜TAG透明陶瓷在1650℃燒結(jié)20小時(shí)后的掃描電鏡圖像以及陶瓷的平均晶粒尺寸
 
  另一方面,YIG是一種亞鐵磁材料,以其優(yōu)異的磁性能和磁光性能在微波通信、激光技術(shù)和光纖通訊等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。YIG材料的法拉第旋轉(zhuǎn)角大,紅外透過率高、光吸收率低,是制作法拉第旋轉(zhuǎn)器、紅外光隔離器等器件的重要核心材料。它們的法拉第效應(yīng)及其在傳統(tǒng)C波段法拉第隔離器(FI)中的應(yīng)用已經(jīng)被證明并被廣泛應(yīng)用。然而,YIG材料在中紅外波段的特性并未被探索與開發(fā),同時(shí),依靠YIG陶瓷的尺寸可伸縮性優(yōu)勢(shì),提高工作功率和減少高功率中紅外FI的熱效應(yīng)變得非常有吸引力。
 
圖4:YIG陶瓷、YIG單晶及BIG厚膜的透過率
 
  研究團(tuán)隊(duì)在文中首次描述了一種基于高質(zhì)量YIG磁光陶瓷的中紅外FI。在中紅外波段測(cè)量并比較了YIG陶瓷、YIG晶體和BIG薄膜在飽和磁場(chǎng)中的法拉第旋轉(zhuǎn)角。YIG陶瓷在2.1和3.8 µm下的飽和旋轉(zhuǎn)角分別為114和60 deg/cm。由于其尺寸優(yōu)勢(shì),YIG陶瓷可以實(shí)現(xiàn)比BIG薄膜大得多的中紅外法拉第旋轉(zhuǎn)角。研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并制造了基于YIG陶瓷的2.1 µm FI和3.8 µm 法拉第旋轉(zhuǎn)器(FR)。在2.1 µm和3.8 µm處,它們的消光比分別達(dá)到25.26和28.30 dB,插入損耗分別為1.01和1.17 dB,與商業(yè)FI的標(biāo)準(zhǔn)非常接近。研究還使用高重復(fù)率(10 kHz)脈沖激光進(jìn)行激光損傷測(cè)試,在10.2 W/cm2的功率密度下,YIG陶瓷和YIG晶體的表面都發(fā)生了明顯的損傷。結(jié)合尺寸可擴(kuò)展性的優(yōu)勢(shì),YIG陶瓷有望在未來為高功率中紅外FI提供高性能、經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。
 
  圖5 (a) 基于YIG陶瓷的中紅外FI示意圖。(b) 基于YIG陶瓷的2.1 µm FI和3.8 µm FR的性能。(c) 本工作中開發(fā)的器件與商用隔離器之間的插入損耗和消光比的比較。
 
  此項(xiàng)研究得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、上海市自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的支持。

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