注：GaN（氮化鎵，Gallium nitride）是Ga（鎵）和N（氮）的化合物。

使用GaN材料的功率半導(dǎo)體與Si（硅）半導(dǎo)體相比較，可以在高溫下動(dòng)作，絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度高；而與使用SiC材料的功率半導(dǎo)體相比，能夠高速開(kāi)關(guān)，具有飽和電子移動(dòng)度高等性能方面的優(yōu)勢(shì)。作為功率半導(dǎo)體，其應(yīng)用前景很值得期待。

Main  Feature

主要特點(diǎn)

1率化

 使用低損失的GaN功率半導(dǎo)體，即使高頻驅(qū)動(dòng)，也能降低驅(qū)動(dòng)器部和電機(jī)部的損失，提高輸入輸出效率。

2伺服系統(tǒng)的小型化

 采用高放熱結(jié)構(gòu)，使驅(qū)動(dòng)器部小型化，實(shí)現(xiàn)內(nèi)置于伺服電機(jī)的結(jié)構(gòu)。增加外部軸也不需要增加驅(qū)動(dòng)器。

 另外，在多軸伺服系統(tǒng)中，控制柜內(nèi)的數(shù)臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)器部只需一臺(tái)逆變器，能夠?qū)崿F(xiàn)控制柜的小型化。