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如何正確測(cè)量開關(guān)的接觸電阻

時(shí)間:2022/6/1閱讀:1027
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 測(cè)量開關(guān)接觸電阻的原理


  定義為觸點(diǎn)兩端的電壓與流過一對(duì)閉合觸點(diǎn)的電流之比。它遵守歐姆定律。Metal 1和Metal 2之間有一個(gè)接口。來自電流源的電流I流過這個(gè)接口,可以從電流表中讀取。然后可以從電壓表中將接口上的電壓降讀取為 U。然后可以計(jì)算接觸電阻值Rx。


  Rx=U/I


  由于接觸電阻隨環(huán)境和電流的通過而變化,因此測(cè)量條件應(yīng)接近使用條件。準(zhǔn)確的測(cè)量必須使用四端測(cè)量技術(shù)和熱電動(dòng)勢(shì)消除技術(shù)。這種間接測(cè)量方法可用于測(cè)量接觸電阻或回路電阻。它需要三個(gè)測(cè)試點(diǎn)、三個(gè)步驟和三個(gè)公式。該方法已被證明是正確的,也可用于校準(zhǔn)回路電阻標(biāo)準(zhǔn)。


  接觸電阻測(cè)試的典型方法


  四線 (Kelvin) 直流電壓降是使用微歐表進(jìn)行接觸電阻測(cè)試的典型方法,它通過消除自身的接觸電阻和測(cè)試引線的電阻來確保更準(zhǔn)確的測(cè)量。


  接觸電阻測(cè)試使用兩個(gè)電流連接進(jìn)行注入和兩個(gè)電位引線進(jìn)行電壓降測(cè)量;電壓電纜必須盡可能靠近要測(cè)試的連接,并且始終位于由連接的電流引線形成的電路內(nèi)。


  基于對(duì)電壓降的測(cè)量,微處理器控制的微歐表計(jì)算接觸電阻,同時(shí)消除連接中熱 EMF 影響可能產(chǎn)生的誤差(熱 EMF 是當(dāng)兩種不同金屬接觸時(shí)產(chǎn)生的小熱電偶電壓)連接在一起)它們將被添加到測(cè)量的總電壓降中,如果不通過不同的方法(極性反轉(zhuǎn)和平均,熱電動(dòng)勢(shì)幅度的直接測(cè)量等)從測(cè)量中減去它們,則會(huì)將誤差引入觸點(diǎn)電阻測(cè)試。

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  如果在小電流下測(cè)試斷路器接觸電阻時(shí)獲得低電阻讀數(shù),建議在更高電流下重新測(cè)試觸點(diǎn)。為什么我們會(huì)受益于使用更高的電流?較高的電流將能夠克服端子上的連接問題和氧化,在這些條件下,較低的電流可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤(較高)的讀數(shù)。


  在接觸電阻測(cè)試中保持一致的測(cè)量條件非常重要,以便能夠與之前和未來的結(jié)果進(jìn)行比較以進(jìn)行趨勢(shì)分析。因此,在進(jìn)行定期測(cè)量時(shí),接觸電阻測(cè)試必須在相同的位置,使用相同的測(cè)試引線(始終使用制造商的校準(zhǔn)電纜)和相同的條件下進(jìn)行,以便能夠知道何時(shí)連接、連接、焊接或設(shè)備將變得不安全。

 

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