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半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀iv+cv曲線分析
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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電流脈寬 | 20μs~500μs | 脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs |
輸出脈沖電流 | 3~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
HCPL100型 整流橋堆高電流脈沖電源
整流橋堆高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試。
器件 | 測(cè)試項(xiàng) |
肖特基二極管,整流橋堆 | 瞬時(shí)前向電壓 |
IGBT器件 | IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線阻抗 |
IGBT模塊,IPM模塊 | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓、鍵合線阻抗 |
技術(shù)指標(biāo)
項(xiàng)目 | 參數(shù) |
電流脈寬 | 20μs~500μs |
脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs |
輸出脈沖電流 | 3~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
輸出負(fù)載電壓要求 | <12V@1000A |
DUT電壓測(cè)量 | 2獨(dú)立通道 |
遠(yuǎn)端測(cè)量,峰值電壓測(cè)量(取樣點(diǎn)可配置) | |
0~12V量程,精度0.1%FS±3mV | |
電流脈沖輸出間隔時(shí)間 | 1秒 |
電流脈沖峰值功率 | <12kW |
多設(shè)備并聯(lián) | 支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A |
輸出極性反轉(zhuǎn) | 支持 |
觸發(fā)信號(hào) | 支持trig in及trig out |
通訊接口 | RS232 |
輸入電壓 | 90~264VAC、50/60Hz |
輸入功率 | <500W |
尺寸 | 長(zhǎng)516 x寬250 x高160mm |
應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
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