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武漢普賽斯儀表有限公司
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當前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導體器件測試儀器儀表>>數(shù)字源表>> S100/S200/S300LDO芯片電性能測試源表

LDO芯片電性能測試源表

參   考   價: 1000

訂  貨  量: ≥1  臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號S100/S200/S300

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

更新時間:2024-01-01 21:36:28瀏覽次數(shù):260次

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產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制
LDO常用的電性能參數(shù)測試,主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。LDO芯片電性能測試源表認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯S系列、P系列源表標準的SCPI指令集,Y秀的性價比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,普賽斯儀表是S家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善,對標2400、2450、2611、2601B、2651、2657等;


源表測試LDO芯片電性能方案

  1. 概述

    LDO,全稱為“Low Dropout Regulator",是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運行的晶體管或場效應管(FET),從應用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器,LDO具有成本低,噪音低,靜態(tài)電流小的特點,需要的外接元件也很少,因此,LDO廣泛應用于需要穩(wěn)壓輸出的場景。

                           UTC78XX系列LDO封裝以及內(nèi)部電路示意圖

  2. 源表,SMU(Source Measure Unit)電源/測量單元,“源"為電壓源和電流源,“表"為測量表,“源表"即指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流,同時可同步測量電流值或電壓值的測量儀表。普賽斯S系列高精度源表,集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能于一體。產(chǎn)品Z大輸出電壓達300V,最小測試電流量程低至100pA,支持四象限工作,因此,可廣泛應用于LDO類芯片測試。



  3. 638309725908914533779.jpg

  4. 常用電性能參數(shù)測試

    LDO常用的電性能參數(shù)測試,主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù),因此一般情況下,測試系統(tǒng)至少需要配置2臺SMU,并采用上位機軟件(PssSMUTools)進行控制。(以下測試均參考UTC7805規(guī)格進行)

    二線法連接示意圖


    四線法連接示意圖



  5. LDO芯片電性能測試源表測試方案

  6. Vo輸出電壓測試

    Vo輸出電壓,是LDO在正常工作穩(wěn)定輸出電壓值。當加載在LDO輸入端的工作電壓,在規(guī)定范圍內(nèi)變動時,LDO的輸出電壓Vo穩(wěn)定在特定范圍內(nèi)。常用測試方法為,在LDO的輸入端,加載穩(wěn)定變化的電壓,同時測量對應的輸出端電壓值。一般采用二線法連接即可。(參考UTC7805規(guī)格書,其規(guī)格參數(shù)5V左右)

    操作步驟

步驟

操作方法

操作界面

選擇測試模式

在上位機軟件內(nèi),選擇【晶體管】—>【MOS管測量】


設(shè)置SMU參數(shù)

根據(jù)實際測試需要,分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】,【限值】,【掃描點數(shù)】等。其中,SMU 1的主要作用是,作為輸入電壓源,而SMU 2則作為電壓表

啟動測試

點擊運行圖標“",即可啟動測試

/

測試數(shù)據(jù)

待測試完畢后,分別點擊【表格】,【圖形】,可查看相應的數(shù)據(jù)與圖形


  • Voi輸入輸出電壓差,ΔVo線性調(diào)整率測試

    Voi輸入輸出電壓差,是LDO正常工作時輸入端與輸出端的最小電壓差值。ΔVo線性調(diào)整率是輸入電壓變化后對輸出電壓造成的影響。常用測試方法為,在LDO的輸入端,加載穩(wěn)定變化的電壓,同時測量對應的輸出端電壓值,并計算兩端電壓測差值,或者輸出端的變化值。此外,為降低測試中線材的干擾,輸入輸出電壓差測試可采用4線連接法進行測量。(參考UTC7805規(guī)格書,Voi值為2V左右,ΔVo值為4mV左右)

    操作步驟

步驟

操作方法

操作界面

選擇測試模式

在上位機軟件內(nèi),選擇【晶體管】—>【MOS管測量】


設(shè)置SMU參數(shù)

根據(jù)實際測試需要,分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】,【限值】,【掃描點數(shù)】等。其中,SMU 1的主要作用是,作為輸入電壓源,而SMU 2則作為電壓表

啟動測試

點擊運行圖標“",即可啟動測試

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測試數(shù)據(jù)

待測試完畢后,分別點擊【表格】,【圖形】,可查看相應的數(shù)據(jù)與圖形


  • ΔVoload負載調(diào)整率測試

    ΔVoload負載調(diào)整率是輸出端接不同負載,輸出端電壓的變化。由于源表可以直接當電子負載,所以可以直接讓源表做負載。常用測試方法為,保持LDO輸入端電壓穩(wěn)定不變,在LDO的輸出端,加載不同的電流值,同時測量對應的輸出端電壓值,并計算輸出端的電壓變化值。此外,為降低測試中線材的干擾,該測試可采用4線連接法進行測量。(參考UTC7805規(guī)格書,ΔVoload值為4mV左右)

    操作步驟

步驟

操作方法

操作界面

選擇測試模式

在上位機軟件內(nèi),選擇【晶體管】—>【MOS管測量】


設(shè)置SMU參數(shù)

根據(jù)實際測試需要,分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】,【限值】,【掃描點數(shù)】等。其中,SMU 1的主要作用是,作為穩(wěn)定的輸入源,而SMU 2則作為負載,同時測量負載兩端的電壓。

啟動測試

點擊運行圖標“",即可啟動測試

/

測試數(shù)據(jù)

待測試完畢后,分別點擊【表格】,【圖形】,可查看相應的數(shù)據(jù)與圖形。根據(jù)測試需要,設(shè)置不同的輸出電流參數(shù),進行多次測試。


  • IQ靜態(tài)電流測試測試

    IQ靜態(tài)電流,是指輸出端空載時,輸入端流進的電流。常用測試方法為,斷開LDO的輸出端的連接,加載不同的電流值,在LDO輸入端加載電壓,并測量對應的輸入端電流值。(參考UTC7805規(guī)格書,IQ值為5mA左右)

    連接示意圖

    LDO芯片電性能測試源表操作步驟

步驟

操作方法

操作界面

選擇測試模式

在上位機軟件內(nèi),選擇【數(shù)據(jù)記錄儀】


設(shè)置SMU參數(shù)

根據(jù)實際測試需要,分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】,【限值】,【掃描點數(shù)】等。

啟動測試

點擊運行圖標“",即可啟動測試

/

測試數(shù)據(jù)

待測試完畢后,分別點擊【表格】,【圖形】,可查看相應的數(shù)據(jù)與圖形。




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