第三代半導(dǎo)體材料電性能測試高壓電源特點和優(yōu)勢：

十ms級的上升沿和下降沿；

單臺最大3500V的輸出；

0.1%測試精度；

同步電流或電壓測量；

支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；

產(chǎn)品簡介

高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

更多有關(guān)第三代半導(dǎo)體材料電性能測試高壓電源詳情找普賽斯儀表專員為您解答，武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。