半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,半導(dǎo)體電性能IV+CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具，接線簡(jiǎn)單、方便操作

產(chǎn)品曲線圖：

利用數(shù)字源表簡(jiǎn)化半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試

豐富的半導(dǎo)體IV特性測(cè)試行業(yè)經(jīng)驗(yàn)；

全面的解決方案：二極管、MOSFET、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等；

提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具……

普賽斯S系列數(shù)字源表優(yōu)點(diǎn)：

同時(shí)精確提供和測(cè)量電壓和/或電流；

    同步測(cè)量，減少測(cè)試時(shí)間

提供和測(cè)量非常廣的電流和電壓；

     電壓測(cè)試范圍30uV-300V,電流測(cè)試范圍1pA-1A

支持運(yùn)行用戶腳本程序，無需電腦控制，提高生產(chǎn)測(cè)試速度；

    序列測(cè)試，簡(jiǎn)化操作，降低成本

采用用戶熟悉的圖形界面，不管用戶經(jīng)驗(yàn)是否豐富，使用起來都非常簡(jiǎn)便；

    觸屏操作

與傳統(tǒng)電源比：

電源過零需要改變線連接方式；

     增加需反復(fù)開關(guān)機(jī)械開關(guān)，降低了設(shè)備可靠性

電壓電流限制精度有限；

電壓1%，電流10mA

與電源結(jié)合萬用表組合比：

萬用表電源組合需要編程實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制及同步；

    復(fù)雜連線、編程開發(fā)

電源限壓限流性能差

      限壓限流精度低，瞬態(tài)特性也無法保證

有關(guān)半導(dǎo)體電性能IV+CV測(cè)試儀的更多信息，找普賽斯儀表為您解答，普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！