ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工
電弧等離子體沉積源APS-1，電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列
ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工
ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工
電弧等離子體沉積源APS-1，電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列
產(chǎn)品介紹
電弧等離子體沉積源 APS-1
同時(shí)沉積不同的“目標(biāo)"。
通過將這種蒸鍍源添加到現(xiàn)有的電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列或您自己的真空室中，可以同時(shí)蒸鍍不同的“目標(biāo)"，從而可以生成具有新特性的材料。
用法
生成具有多個(gè)沉積源的化合物
添加到現(xiàn)有的真空室
特征
納米粒子的尺寸比傳統(tǒng)的濕法更均勻，因此可以生產(chǎn)出高活性的催化劑。
納米顆粒尺寸可選擇約 1.5nm 至 6nm
通過改變氣氛容易產(chǎn)生氧化物和氮化物
如果有相當(dāng)于ICF070（VG50）的法蘭，則可以任意方向安裝。
無需水冷設(shè)備，維護(hù)方便
規(guī)格
目標(biāo)維度 | φ10mm×長17mm |
電路板尺寸 | φ 2 英寸（φ 50 毫米） |
沉積速度 | 0.01 納米/秒至 0.3 納米/秒*1 |
膜厚分布 | 對(duì)于 Fe：< ± 10 %（φ 20 mm 區(qū)域）*1 |
可以沉積的材料 | 一般導(dǎo)電材料*2 |
電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列
使用脈沖真空電弧放電的新型納米粒子形成裝置
脈沖真空電弧沉積是一種在簡單過程中生成金屬離子并形成超薄膜和納米粒子的方法。
可以獲得其他氣相沉積方法無法獲得的效果，例如薄膜平坦性和微粒形成。
用途
APD-S（基板沉積模型）
金屬薄膜（磁性、等離子體、保護(hù)膜）
使用APD-P（粉末支撐型）納米顆粒的燃料電池催化劑、尾氣催化劑、光催化劑、VOC分解催化劑、碳納米管催化劑、等離子體激元
特征
通過改變電容器的電容量，納米粒子的粒徑可以在大約 1.5 nm 到 6 nm 之間自由選擇。
任何導(dǎo)電材料（靶）都可以變成等離子體* 靶的比電阻為 0.01Ωcm 或更小
通過改變氣氛容易產(chǎn)生氧化物和氮化物
與濕法工藝相比，負(fù)載型納米顆粒表現(xiàn)出更高的催化活性
儀表網(wǎng)