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半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號:WD4000

品       牌:中圖儀器

廠商性質:生產(chǎn)商

所  在  地:深圳市

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更新時間:2024-08-11 18:27:47瀏覽次數(shù):752次

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羅健

經(jīng)理
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產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制
WD4000半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。

WD4000半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù),同時生成Mapping圖;

2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數(shù);

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數(shù)值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現(xiàn)膜厚測量功能;

4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)

WD4000半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。


測量功能

1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結構分析包括孔洞體積和波谷。

半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。

2、高精度厚度測量技術

(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描。

(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。

(3)采用Mapping跟隨技術,可編程包含多點、線、面的自動測量。

3、高精度三維形貌測量技術

(1)采用光學白光干涉技術、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,獲得高測量重復性。

(3)機器視覺技術檢測圖像Mark點,虛擬夾具擺正樣品,可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。

4、大行程高速龍門結構平臺

(1)大行程龍門結構(400x400x75mm),移動速度500mm/s。

(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結構穩(wěn)定、可靠。

(3)關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引、AC伺服直驅電機驅動,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設備的高精度、高效率。

5、操作簡單、輕松無憂

(1)集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。

(2)具備雙重防撞設計,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

(3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單。


應用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)

2、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm,測量穩(wěn)定性良好。

半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)

懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。


部分技術規(guī)格

型號WD4200
厚度和翹曲度測量系統(tǒng)
可測材料砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等
測量范圍
150μm~2000μm
測量參數(shù)厚度、TTV(總體厚度變 化)  、LTV 、BOW、WARP  、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統(tǒng)
測量原理白光干涉
測量視場0.96mm×0.96mm
可測樣品反射率
0.05%~ 100%
測量參數(shù)顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數(shù)
系統(tǒng)規(guī)格
晶圓尺寸4"  、6"  、8"  、 12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程
400mm/400mm/75mm
工作臺負載≤5kg
外形尺寸1500× 1500×2000mm
總重量約 2000kg

懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。

如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢。

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