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行業(yè)產(chǎn)品

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北京多晶電子科技有限公司


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數(shù)字電路存儲器產(chǎn)品DS1250Y

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地北京市

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更新時間：2025-01-12 09:22:25瀏覽次數(shù)：26次

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產(chǎn)品簡介

數(shù)字電路存儲器產(chǎn)品DS1250Y更新：2022-12-30 13:16:51點擊：產(chǎn)品品牌MAXI產(chǎn)品型號DS1250Y產(chǎn)品描述DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。...PDF下載 詢價 申請樣品

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹

DS1245Y1.JPG

概述

DSk、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

關(guān)鍵特性

無外部電源時至少可以保存數(shù)據(jù)10年

掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護

替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

沒有寫次數(shù)限制

低功耗CMOS操作

70ns的讀寫存取時間

次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，為IND

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝

PowerCap模塊(PCM)封裝

表面貼裝模塊

可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

型號封裝溫度
DS1250Y-100 EDIP,；32引腳；707.2mm²0°C至+70°C
DS1250Y-100+  EDIP,；32引腳；707.2mm²0°C至+70°C
DS1250Y-100IND EDIP,；32引腳；707.2mm²-40°C至+85°C
DS1250Y-100IND+  EDIP,；32引腳；707.2mm²-40°C至+85°C
DS1250Y-70 EDIP,；32引腳；707.2mm²0°C至+70°C
DS1250Y-70+  EDIP,；32引腳；707.2mm²0°C至+70°C
DS1250Y-70-W EDIP,；32引腳；707.2mm²0°C至+70°C
DS1250Y-70IND EDIP,；32引腳；707.2mm²-40°C至+85°C
DS1250Y-70IND+  EDIP,；32引腳；707.2mm²-40°C至+85°C
DS1250YL-70-IND LPM；-40°C至+85°C
DS1250YP-100  PCAP,；34引腳；596.9mm²0°C至+70°C
DS1250YP-100+  PCAP,；34引腳；596.9mm²0°C至+70°C
DS1250YP-70 PCAP,；34引腳；596.9mm²0°C至+70°C
DS1250YP-70+  PCAP,；34引腳；596.9mm²0°C至+70°C
DS1250YP-70IND PCAP,；34引腳；596.9mm² -40°C至+85°C
DS1250YP-70IND+  PCAP,；34引腳；596.9mm²-40°C至+85°C


 

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn)

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