国产精品成人网站,亚洲欧美精品在线,色一情一乱一伦,又大又紧又粉嫩18P少妇

行業(yè)產品

  • 行業(yè)產品

北京多晶電子科技有限公司


當前位置：北京多晶電子科技有限公司>>半導體-分立器件>>Vishay(威世)>>SUP50020EL-GE3 n溝道場效應管

SUP50020EL-GE3 n溝道場效應管

返回列表頁
參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌

廠商性質其他

所  在  地北京市

聯系方式：查看聯系方式

更新時間：2025-01-15 07:53:30瀏覽次數：29次

聯系我時，請告知來自 儀表網

產品簡介

SUP50020EL-GE3 n溝道場效應管更新：2024-3-13 14:47:57點擊：產品品牌Vishay產品型號SUP50020EL-GE3產品描述MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs Qg 126nC TrenchFET...PDF下載 詢價 申請樣品

詳細介紹

產品介紹

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進行擴展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝，具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應用包括電源、電機驅動器開關、直流/直流電源逆變器和整流器、電動工具及電池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

結溫 175°C

非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗

經 100（單位:%） Rg 和 UIS 測試

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通過邏輯電平柵極驅動進行操作

規(guī)格

通道數量:

1 Channel

晶體管極性:

N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:

60 V

Id-連續(xù)漏極電流:

120 A

Rds On-漏源導通電阻:

2.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:

+/- 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:

1.2 V

Qg-柵極電荷:

126 nC

工作溫度:

+ 175 C

技術:

Si

封裝:

Reel

通道模式:

Enhancement

配置:

1 N-Channel

下降時間:

11 ns

最小工作溫度:

- 55 C

Pd-功率耗散:

375 W

上升時間:

20 ns

晶體管類型:

N-Channel

典型關閉延遲時間:

55 ns

典型接通延遲時間:

15 ns

單位重量:

2.300 g

 

 



您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN

儀表網 設計制作，未經允許翻錄必究 .? ? ? Copyright(C)?2021 http://m.caturday.cn,All rights reserved.

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責，儀表網對此不承擔任何保證責任。 溫馨提示：為規(guī)避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。

會員登錄

×

請輸入賬號

請輸入密碼

=請輸驗證碼

收藏該商鋪

請 登錄 后再收藏

提示

您的留言已提交成功！我們將在第一時間回復您~