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行業(yè)產(chǎn)品

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北京多晶電子科技有限公司


N64S830HA 閃存存儲器

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地北京市

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更新時間：2025-01-18 09:37:50瀏覽次數(shù)：89次

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產(chǎn)品簡介

N64S830HA 閃存存儲器更新：2016-4-27 15:19:44點擊：產(chǎn)品品牌ON產(chǎn)品型號N64S830HA產(chǎn)品描述靈活的操作模式：字讀寫，頁面模式（32字頁）和突發(fā)模式（全陣列）...PDF下載 詢價 申請樣品

詳細介紹

產(chǎn)品介紹

描述

安森美半導(dǎo)體串行SRAM系列包括多款集成的內(nèi)存設(shè)備，包括這個64K的串行方式訪問靜態(tài)隨機存取存儲器，由8位內(nèi)部組織為8千字。該設(shè)備的設(shè)計，并使用的CMOS技術(shù)，以提供高速的性能和低功耗制造。該器件在單芯片選擇（CS）輸入，并使用一個簡單的串行外設(shè)接口（SPI）串行總線。在一個單一的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)輸出線用于沿與時鐘的裝置內(nèi)的訪問數(shù)據(jù)。該N64S830HA設(shè)備包括一個HOLD引腳，允許通信設(shè)備被暫停。暫停時，輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。該設(shè)備可以為-40℃的寬的溫度范圍內(nèi)工作，以+ 85℃，可以在幾個標準包裝產(chǎn)品提供。

特性

2.7至3.6 V電源電壓范圍

極低的待機電流 - 低至1微安

極低的工作電流 - 低至3毫安

靈活的操作模式：字讀寫，頁面模式（32字頁）和突發(fā)模式（全陣列）

簡單的內(nèi)存控制：單芯片選擇（CS），串行輸入（SI）和串行輸出（SO）

自定時寫周期

內(nèi)建寫保護（CS高）

HOLD引腳用于暫停通信

高可靠性 - 無限寫入周期

符合RoHS封裝 - 綠色SOIC和TSSOP

關(guān)鍵詞：標準

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