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半導(dǎo)體應(yīng)變片以壓阻效應(yīng)為主，半導(dǎo)體是摻雜的單晶硅、鍺、銻化銦等。幾種常用半導(dǎo)體材料的特性見表9。5-5。尤其是以單晶硅zui為常見，力作用在單晶硅上，由于壓阻效應(yīng)，單晶硅電阻發(fā)生變化，單晶硅電阻的變化量與其所在的晶面位置有關(guān)，為提高傳感器的靈敏度，應(yīng)在壓阻系數(shù)的晶面上制作壓敏電阻。常用的晶面有[111]，[110]，[100] 。
表9。5-5
| 名稱 | 電阻率ρ/Ω.cm | 彈性模時(shí)E/×1011Pa | 靈敏度 | 晶面 | |
| 硅 | P型 | 7．8 | 1．87 | 175 | [111] |
| N型 | 11．7 | 1．23 | -132 | [100] | |
| 鍺 | P型 | 15．0 | 1．55 | 102 | [111] |
| N型 | 16．6 | 1．55 | -157 | [111] | |
| N型 | 1．5 | 1．55 | -147 | [111] | |
| 銻化銦 | P型 | 0．54 | | -45 | [100] |
| P型 | 0．01 | 0．745 | 30 | [111] | |
| N型 | 0．013 | | 74．5 | [100] | |
壓阻式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)，其核心為一塊有四個(gè)擴(kuò)散電阻的單晶硅膜片，用一個(gè)圓形環(huán)固定，將兩個(gè)氣室隔開，兩個(gè)氣室分別與被測(cè)壓力相通，膜上布四個(gè)擴(kuò)散電阻，組成一個(gè)測(cè)量電橋。
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