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誠邀您參加“*的等離子微納加工工藝技術(shù)”研討會

時間:2017-10-18閱讀:1213
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*的等離子微納加工工藝技術(shù)

地點(diǎn):

廣州花園

日期:

2017年11月10日,下午2:00 – 6:00

參加部門:

等離子科技

等離子加工工藝技術(shù)是制造光電子器件的必要工具。從激光表面的干法刻蝕到高密度鈍化,了解等離子體如何影響器件是實(shí)現(xiàn)zui高質(zhì)量的關(guān)鍵。牛津儀器等離子技術(shù)處于等離子體處理的前沿,有著悠久的發(fā)展創(chuàng)新解決方案的歷史,使設(shè)備性能得以提升到下一個水平。本次研討會將詳述等離子刻蝕、原子層沉積(ALD)和等離子體介質(zhì)化學(xué)氣相沉積(CVD)的一些進(jìn)展。在這方面,用戶將詳細(xì)介紹他們的經(jīng)驗(yàn),并展示他們?nèi)绾问褂梦覀兊墓ぞ邅斫桓对O(shè)備。

來自英國的專家和當(dāng)?shù)赜脩魧⒃谶@里分享他們的信息,報告題目包括:

 

  • 用電感耦合式等離子體設(shè)備 (ICP) 進(jìn)行的III-V材料的刻蝕工藝研發(fā) | 張欣博士,華為海思半導(dǎo)體
    III-V ICP etch process development | Dr Xin Zhang Huawei Hisilicon
  • III-V材料器件的等離子體干法刻蝕工藝綜述 | 鄧麗剛博士,牛津儀器等離子技術(shù)公司
    Plasma dry etch processes for III-V materials devices | Dr Ligang Deng, Oxford Instruments Plasma Technology
  • ICP CVD低損傷高質(zhì)量的介電質(zhì)薄膜沉積技術(shù) | Young Huang,牛津儀器等離子技術(shù)公司
    Low damage deposition by ICP CVD | Dr Young Huang, Oxford Instruments Plasma Technology
  • 用于光電器件制備的原子層沉積(ALD)技術(shù)| Dr Harm Knoops, 牛津儀器等離子技術(shù)公司
    Atomic layer deposition (ALD) for optoelectronic devices | Dr Harm Knoops, Oxford Instruments Plasma Technology
  • 用于激光器芯片沉積的離子束鍍膜技術(shù) | Dr Dave Pearson, 牛津儀器等離子技術(shù)公司
    Ion beam laser bar coatings | Dr Dave Pearson, Oxford Instruments Plasma Technology
  • 用于光子晶體材料與器件制作的高質(zhì)量等離子沉積和刻蝕工藝| 劉林,中山大學(xué)
    High quality plasma deposition & etching processes for photonic materials & devices | Mr Lin Liu, Sun Yat-Sen University

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