LED晶片高溫高濕檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)如下：
一、目的
1.1 制定LED CHIP IQC檢驗(yàn)規(guī)范。
1.2 制定原物料入庫正常程序，以確保我司產(chǎn)品品質(zhì)。
二、范圍
我司采購所有晶片。
三、 內(nèi)容
3.1 檢驗(yàn)測試項(xiàng)目
3.1.1光電性檢驗(yàn)
3.1.2外觀檢驗(yàn)
3.1.3數(shù)值標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)
3.2 抽樣計(jì)劃（片數(shù)定義：晶片片數(shù)）
3.2.1光電性檢驗(yàn)
（1）抽樣位置：分頁片邊緣2pcs，分葉片內(nèi)部3pcs，均勻取樣。
（2）抽樣數(shù)量：每片5pcs。
（3）每片抽樣數(shù)，每pcs不良，則列一個(gè)缺點(diǎn)。
（4）每批次材料至少隨機(jī)抽取4張晶片檢驗(yàn)光電性。
（5）光電性缺點(diǎn)均為主缺。主缺超過1個(gè)為不合格。
3.2.2外觀檢驗(yàn)
（1）外觀項(xiàng)目為必檢項(xiàng)。
（2）LSL---標(biāo)簽規(guī)格下限值；USL---標(biāo)簽規(guī)格上限值。（紅外芯片測試λp值，其它測λd值）
（3）K、δ為測試系統(tǒng)差異值，具體參考各型號規(guī)定。測試條件：λd或λp、Iv 、Vf、 Ir @ If=20mA 與 Ir @ Vr=5V，VR@IR=2μA，測試設(shè)備為積分球和角度測試機(jī)。
3.3 芯片用規(guī)定物料封膠制作。
3.3.1銀膠高度（h）控制在芯片高度（H）的1/4～1/5，佳為1/4芯片高度，適應(yīng)于雙電極芯片；
3.3.2 銀膠高度（h）控制在芯片高度（H）的1/3～1/4，佳為1/3芯片高度，適應(yīng)于單電極芯片；
3.3.3 絕緣膠高度（h）控制在芯片高度（H）的1/3～1/4，佳為1/3芯片高度，適應(yīng)于雙電極芯片。
3.3.4 根據(jù)不同芯片評估采用銀膠或絕緣膠制程
3.4 缺點(diǎn)等級代字
3.4.1 主要缺點(diǎn)代字：MA（Major）。
3.4.2 次要缺點(diǎn)代字：MI（Minor）。
3.5依抽樣計(jì)劃檢驗(yàn)，非光電特性抽樣數(shù)不良超過1%或光電特性不良超過一個(gè)，不合格。
3.6每片篩選后的藍(lán)、綠光產(chǎn)品每片TAPE不得出現(xiàn)芯片排列跳行或因品質(zhì)不穩(wěn)定而出現(xiàn)的二次篩選的狀況。LED芯片高溫高濕試驗(yàn)箱www.kewentest.com
3.7芯片包裝藍(lán)膜尺寸小為200mm。
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