-
介質(zhì)耗損量測(cè)試儀
介質(zhì)耗損量測(cè)試儀: A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示,在某一頻率下,只要能找到諧振點(diǎn),都能直接讀出電感、電容值,大大擴(kuò)展了電感的測(cè)量范圍,而不再是...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/10/27 3:40:54
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)耗損量檢測(cè)儀高頻介電常數(shù)測(cè)試儀工頻介電常數(shù)試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)耗損測(cè)試儀
-
介電常數(shù)介質(zhì)損耗角測(cè)試儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗角測(cè)試儀:空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, ...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/9/21 3:25:48
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀塑料介質(zhì)損耗角試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)耗損測(cè)試儀介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介質(zhì)損耗角試驗(yàn)儀
-
高頻介電常數(shù)測(cè)試儀
高頻介電常數(shù)測(cè)試儀 接線簡(jiǎn)單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測(cè)量電壓緩升、緩降,全自動(dòng)測(cè)量,結(jié)果直讀,無(wú)須換算。
型號(hào): GDAT-A
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/8/26 0:14:10
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀高頻介電常數(shù)試驗(yàn)儀塑料材料介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)檢測(cè)儀
-
介質(zhì)耗損因數(shù)測(cè)試儀
介質(zhì)耗損因數(shù)測(cè)試儀 能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/8/24 15:27:13
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀高頻介電常數(shù)測(cè)試儀工頻介電常數(shù)檢測(cè)儀材料介電常數(shù)測(cè)試儀
-
塑料材料介電常數(shù)測(cè)試儀
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗...
型號(hào): GDAT-A
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/7/24 18:58:45
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀塑料材料介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)檢測(cè)設(shè)備
-
GDAT-B型高壓電容電橋檢測(cè)儀
GDAT-B高壓電容電橋檢測(cè)儀主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。
型號(hào): GDAT-B
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/7/20 14:23:51
對(duì)比
介質(zhì)耗損測(cè)試儀高壓電容電橋檢測(cè)儀介電常數(shù)試驗(yàn)儀
-
薄膜工頻介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀
本儀器既可測(cè)量高電阻,又可測(cè)微電流。采用了美國(guó)In公司的大規(guī)模集成電路,使儀器體積小、重量輕、準(zhǔn)確度高。數(shù)字液晶直接顯示電阻值和電流。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/7/19 16:47:30
對(duì)比
薄膜工頻介電常數(shù)介電常數(shù)測(cè)試儀薄膜工頻介質(zhì)損耗介電常數(shù)介質(zhì)損耗
-
北京電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)檢測(cè)儀
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含...
型號(hào): GDAT-A
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/6/25 11:08:56
對(duì)比
電容率測(cè)定儀介質(zhì)耗損因數(shù)測(cè)定儀介電常數(shù)檢測(cè)儀介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀
-
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀(*)
主要技術(shù)特性 Q 值測(cè)量范圍 2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔固有誤差 ≤ 5 % &plus...
型號(hào): GBT 1409-...
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/6/2 21:34:40
對(duì)比
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
-
工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀(*)
橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容,測(cè)量材料介損更為方便。橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀,外圍接線及少。橋體采用了多樣化的介損測(cè)量線路。 技術(shù)參數(shù):測(cè)量范圍及誤...
型號(hào): BDAT-B
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/5/30 6:17:28
對(duì)比
工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
-
薄膜工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/3/8 22:03:50
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介損測(cè)試儀
-
工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/12/6 13:13:19
對(duì)比
工頻介電常數(shù)測(cè)試儀工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
-
介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/11/25 19:21:46
對(duì)比
介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀
-
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): h
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/10/29 19:20:23
對(duì)比
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀
-
北廣介電常數(shù)測(cè)試儀
我公司生產(chǎn)介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀,如需請(qǐng)致電詳談。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/9/18 7:29:11
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀
-
全顯介質(zhì)損耗介電常數(shù)試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): GDAT-A
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/8/9 11:49:02
對(duì)比
介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀
-
介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀,介電常數(shù)試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): gdat-a
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/7/26 22:56:11
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀
-
GB1409介質(zhì)損耗測(cè)試儀,介電常數(shù)測(cè)試儀
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)高的160MHz。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/7/25 1:27:24
對(duì)比
介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀
-
介質(zhì)損耗測(cè)試儀,介電常數(shù)測(cè)試儀,
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): GDAT-C
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/7/24 20:11:08
對(duì)比
介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀
-
新型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): gdat-c
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/2/25 0:14:12
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀