數(shù)字式四探針測(cè)試儀/四探針測(cè)試儀/數(shù)字式四探針檢測(cè)儀　型號(hào)：DP-SZT-2000

DP-SZT-2000型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研究成功的多用途的綜合測(cè)量裝置，它可以測(cè)量棒狀、塊狀

半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻行測(cè)量，可以從10^-6--10⁵Ω—cm全量程范圍檢測(cè)硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測(cè)的必需儀器。

儀器為臺(tái)式結(jié)構(gòu)，分為電氣箱、測(cè)試架兩大部分，用戶可以根據(jù)測(cè)試需要安放在般工作臺(tái)或者用工作臺(tái)上，測(cè)試架由探頭及壓力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、樣品架組成，耐磨和使用壽命長(zhǎng)的點(diǎn)。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧壓力裝置，壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào)，測(cè)試架設(shè)有手動(dòng)和電動(dòng)兩種裝置供用戶選購(gòu)。

儀器電氣箱主要由靈敏的直流數(shù)字電壓表和穩(wěn)定的恒流源組成，測(cè)量結(jié)果由數(shù)字直接顯示，儀器有自校量程，可以方便地對(duì)儀器的電氣性能行校驗(yàn)。

儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、測(cè)量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等點(diǎn)，儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究、等院校，對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試及工藝檢測(cè)。

儀器主要指標(biāo)：

1．  范圍：電阻率10^-4—10³Ω—cm，可擴(kuò)展至10⁵Ω—cm，分辯率為10^-6Ω—cm

         方塊電阻10^-3—10³Ω /□

         電阻10^-6—10⁵Ω

2．  可測(cè)半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm

3．  測(cè)量方式：軸向、斷面均可（手動(dòng)測(cè)試架）

4．  數(shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V

  (2)測(cè)量誤差 0.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）

              2 mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）

  (3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋10⁵Ω

              20mV檔以上>10⁸Ω

  (4)顯示3 1/2位數(shù)字顯示，0—1999

具有性和過載自動(dòng)顯示，小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示

5．  恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給

   （2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔

   （3）電流誤差：±（0.3%讀數(shù)+2字）

6．四探針測(cè)試探頭  （1）探頭間距：1mm   (2)探針機(jī)械游率：±0.3%

                   (3) 探針：Φ0.5mm    (4)壓力：可調(diào)

  7. 測(cè)試架：

  （1）手動(dòng)測(cè)試架：探頭上升及下降由手動(dòng)操作，可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測(cè)試。

  （2）電動(dòng)測(cè)試架：探頭的上升和下降由電動(dòng)操作，設(shè)有自動(dòng)控制器控制，探頭上升時(shí)間1S—99S可調(diào)，探頭下降時(shí)間1S—99S可調(diào)，壓力恒定可調(diào)（由砝碼來設(shè)定）同時(shí)設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開關(guān)控制探頭上下運(yùn)動(dòng)。

   8.電流：220V±10% 50HZ或60HZ：功率消耗<35W

9．    外形尺寸：電氣箱130×110×400mm