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北京亞歐德鵬科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第14年

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手持式數(shù)字式四探針測(cè)試儀 型號(hào):DP-M2 基本參數(shù)

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手持式數(shù)字式四探針測(cè)試儀/四探針電阻率/方阻測(cè)試儀 型號(hào):DP-M2
概述
       DP-M2型手持式數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測(cè)試臺(tái)。
主機(jī)主要由數(shù)控恒流源,分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成,自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用旋鈕輸入;具有零位、滿度自校功能;全自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用!
      探頭選配:根據(jù)不同材料性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配用探頭,也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
      
      
儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、 化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。 
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率
    電    阻:     0.010 ~ 9999Ω,    分辨率0.001 ~ 1 Ω
    電 阻 率:     0.010~ 2000Ω-cm, 分辨率0.001 ~ 1 Ω-cm
    方塊電阻:     0.050~ 2000Ω/□   分辨率0.001 ~ 1 Ω/□ 
2. 材料尺寸
   手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定
   直    徑:DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm。
   DP-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。
   長(zhǎng)()度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.
   測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等
量程(Ω-cm/□) 9.999 99.99 999.9 9999. 
電阻測(cè)試范圍 0.010~9.999 9.99~99.99 99.99~999.9 999.9~9999 
電阻率/方阻 0.010/0.050~9.999 9.99~99.99 99.99~999.9 999.9~2000 
基本誤差 ±1%FSB±2LSB ±2%FSB±2LSB

4) 適配器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電
5) 外形尺寸:W×H×L=18cm×7.5cm×13cm
凈   重:≤0.5kg

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