數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/少子壽命測試儀  型號：DP-LT-100C

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，按照標GB/T1553及SEMI MF-1535用頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                      

      該設(shè)備是按照家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的頻光電導衰減法”制。頻光電導衰減法在我半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次全十多個單位巡回測試的考驗，證明是種成熟可靠的測試方法，別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/少子壽命測試儀  型號：DP-LT-100C有以下點：

1、 可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管硅單晶的少子壽命。

2、  可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。

3、配備用軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。

4、配置兩種波長的紅外光源：

a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。

b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能硅晶體。

5、測量范圍寬廣

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/少子壽命測試儀  型號：DP-LT-100C測試儀可直接測量：

a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。

b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。

壽命可測范圍     0.25μS—10ms      

數(shù)字示波器/示波器  型號：DP-3

干燥抗裂試驗儀/涂料抗開裂性試驗機 型號:DPQKL
主要用于復(fù)層建筑涂料初期干燥抗開裂性能的測定，該儀器采用軸流風機送風，風機可無調(diào)速。適用于 GB / T9779-1988 標準。
主要參數(shù)
1 儀器總功率： l00w
2 風機風速： 3 米/秒± 03 （可無調(diào)速）
3 風速儀： O ～10 米/秒
4 外形尺寸：主機 1000x30Ox360mm （長 x 寬 x ）控制器 240x210Xll0mm（長 X 寬 X ）
5 整機重量： 27Kg

 涂層耐沖擊試驗儀/木材沖擊器 型號:DPMCQ

數(shù)字交流毫伏表/交流毫伏表/毫伏表 型號：DP-2006A

、參數(shù)
1． 交流電壓測量范圍：100uv-300v
2． dB測量范圍：-80dB-50dB（0dB=1V）
3． dBm測量范圍：-77dBm-52dBm（0dBm=1mw  600Ω）
4． 量程：3mV，30mV，300mV，3V，30V，300V
5． 頻率范圍：5Hz-2MHz,單通道輸入。
6． 電壓測量誤差（以1KHz為基準，20℃環(huán)境溫度下）  
           50Hz～100KHz       ±1.5%讀數(shù)±8個字 
           20Hz～500KHz       ±2.5%讀數(shù)±10個字
           5Hz～2MHz          ±4.0%讀數(shù)±20個字
7． dB測量誤差：±1個字
8． dBm測量誤差：±1個字
9．輸入電阻：10MΩ
    輸入電容：不大于30PF
10．噪聲：輸入短路時為0個字
11．工作環(huán)境：   溫度    0℃～40℃
                 濕度    小于90%RH
12．大氣壓力：86Kpa ～ 104Kpa
13．工作電壓：220V±10%，50Hz±2Hz
14．尺寸：274mmX225mmX88mm(L X b X h)
15．重量：約2.5Kg

注:產(chǎn)品詳細介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應(yīng)的