功率因數(shù)表/單相功率因數(shù)表/三相功率因數(shù)表  型號：DP-YN194H-2X1

功率因數(shù)表/單相功率因數(shù)表/三相功率因數(shù)表  型號：DP-YN194H-2X1

功率因數(shù)表/單相功率因數(shù)表/三相功率因數(shù)表  型號：DP-YN194H-2X1尺寸：120*120mm  開孔：110*110mm

四探針樣品測試平臺/樣品測試平臺   型號：DP-SB120/2型
DP-SB120/2型四探針樣品測試平臺是DP-SB120/1測試平臺的改型。其有底座、支架、旋動部件、樣品平臺、四探針及接線板等組成。由于其整個(gè)結(jié)構(gòu)及旋動方式都在原DP-SB120/1的基礎(chǔ)上作了很大的改，故在校的物理實(shí)驗(yàn)及科學(xué)研究總為導(dǎo)體/半導(dǎo)體的電阻和電阻率的測試、研究提供了較大的方便。

線圈平臺/亞歐德鵬線圈平臺   型號：DP-SB120
線圈平臺可用于校的物理教育實(shí)驗(yàn)。
其中：DP-SB120線圈平臺及DP-SB120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率行測試及研究。
該實(shí)驗(yàn)平臺由帶360º刻度的底盤，安裝在底盤內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤，安裝在底盤上的樣品平臺（低可調(diào)）以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成DP-SB100/1樣品平臺。
DP-SB120線圈平臺主要增加了二個(gè)相同類型的亥姆霍茲磁場線圈，分別安置在樣品平臺的兩側(cè)，且固定在可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤兩邊上，樣品平臺位于磁場的中心，在其通電0-60V/5A的情況下，可確保產(chǎn)生磁場0-150奧斯。
該實(shí)驗(yàn)平臺為被測樣品在磁場及非磁場情況下，對其的測試研究提供了方便。

四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測量儀   型號：DP-SB100A/20A
DP-SB100A/20A是DP-SB100A/20的升版，其為用戶提供了使用DP-SB100A/20行四探針測試及實(shí)驗(yàn)的配套軟件，可運(yùn)行于PC機(jī)上，能兼容運(yùn)行在Winxp和Win7系統(tǒng)中，用于自動獲取實(shí)驗(yàn)臺的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并根據(jù)條件生成曲線和報(bào)表，輔助實(shí)驗(yàn)人員自動成實(shí)驗(yàn)，直觀的分析數(shù)據(jù)，獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)論，保存實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
該測量儀由DP-SB118/20型電壓電流源，DP-PZ158A型直流數(shù)字電壓表，DP-SB120/2四探針樣品測試平臺及1臺電腦（選購），并附有配套的軟件系統(tǒng)等組成。產(chǎn)品的硬件詳情可參見DP-SB100A/20及相應(yīng)產(chǎn)品的介紹 。
該產(chǎn)品的軟件系統(tǒng)為用戶提供參數(shù)設(shè)置、實(shí)驗(yàn)流程、實(shí)驗(yàn)方式、數(shù)據(jù)分析、曲線報(bào)表，并在后臺數(shù)據(jù)庫中行長期保存，實(shí)驗(yàn)人員可以查詢以前的任何次實(shí)驗(yàn)的結(jié)果、所有的曲線和報(bào)表都可提供打印功能。
DP-SB118/20型直流電壓電流源 （帶RS232C接口，詳見該產(chǎn)品使用說明書）
l  直流電壓源：輸出電壓范圍  0~50V  分20mV、200mV、2V、20V、50V五檔，每檔輸出電壓可連續(xù)調(diào)節(jié)，Z分辨力為1µV，基本誤差為0.1%。
l  直流電流源：輸出電流范圍  0~200mA  分20µA、200µA、2mA、20mA、200mA五檔，每檔輸出電流可連續(xù)調(diào)節(jié)，Z分辨力為1nA，基本誤差為0.03%。
l  儀器后面板配有二個(gè)RS232C接口,，個(gè)為DP-PZ158A/RS232C接口連接至DP-PZ158A，另個(gè)為PC/RS232C接口連接至PC機(jī)上，可利用PC機(jī)上的“終端”獲得儀器的測量數(shù)據(jù)。
DP-PZ158A型數(shù)字電壓表（詳見該產(chǎn)品使用說明書）
可測量0~1000V直流電壓  具有200mV、2V、20V、200V、1000V五檔量程，Z分辨力為0.1µV，基本誤差為0.003%。
DP-SB120/2四探針樣品平臺（詳見該產(chǎn)品使用說明書）
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。

四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀   型號：DP-SB100A/3型
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電分子材料的電阻及電阻率的測量?？捎糜谛Ｎ锢斫逃龑?shí)驗(yàn)，對導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-5—106Ω。
 
DP-SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由DP-SB118/1型電壓電流源以及DP-SB120/2四探針樣品平臺二臺儀器構(gòu)成。
l            DP-SB118型直流電壓電流源 （詳見該產(chǎn)品使用說明書）
直流電流源
a)       電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
b)       量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c)       電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a)       電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；
b)       量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；
c)       電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數(shù)字電壓表（4½LED）利用電壓源部分“取樣”端可對被測電壓行測試
a)       測量量程   20mV，200mV，2V，20V，200V
b)       Z分辨力  可達(dá)1µV
c)       基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   （20±2ºC）
l            DP-SB120/2四探針樣品平臺（詳見該產(chǎn)品使用說明書）
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。

注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應(yīng)的