曹雙雙
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四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀/四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率檢測儀 型號:DP-SB100A/3型
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測量采用四端接線法。為了滿足實際的需要,本儀器采用四探針法原理來實現(xiàn)對不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電分子材料的電阻及電阻率的測量??捎糜谛N锢斫逃龑嶒?,對導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達10-5—106Ω。
DP-SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由DP-SB118/1型電壓電流源以及DP-SB120/2四探針樣品平臺二臺儀器構(gòu)成。
l DP-SB118型直流電壓電流源 (詳見該產(chǎn)品使用說明書)
直流電流源
a) 電流輸出范圍:1nA~200mA,輸出電壓不小于5V;
b) 量程:分五檔,20μA、200μA、2mA、20mA、200mA;
c) 電流輸出的基本誤差:0.03%RD±0.02%FS(20±2℃);其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a) 電壓輸出范圍:5μV~50V,負載電流不小于10mA(20mV以上);
b) 量程:分五檔,20mV、200mV、2V、20V、50V,每檔均有粗調(diào)和細調(diào);
c) 電壓輸出的基本誤差:0.05%RD±0.02%FS(20±2℃)。
數(shù)字電壓表(4½LED)利用電壓源部分“取樣”端可對被測電壓行測試
a) 測量量程 20mV,200mV,2V,20V,200V
b) Z分辨力 可達1µV
c) 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS (20±2ºC)
l DP-SB120/2四探針樣品平臺(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
為被測薄膜樣品,利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。
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