-紅外測(cè)溫傳感器 紅外線測(cè)溫傳感器  型號(hào)：DP/IR-1816

.-紅外測(cè)溫傳感器 紅外線測(cè)溫傳感器  型號(hào)：DP/IR-1816點(diǎn)
• 的全數(shù)字化
• 多種模擬和數(shù)字信號(hào)輸出方式
• 重復(fù)測(cè)量誤差小于±1℃
• 的光學(xué)結(jié)構(gòu)
• 8-14μm光譜響應(yīng)
• ±1℃或1%的目標(biāo)溫度測(cè)量精度
• 0.1℃分辨率
• 500ms響應(yīng)時(shí)間或更短
• 全溫度標(biāo)定和補(bǔ)償
• 寬的工作環(huán)境溫度
• 安裝簡(jiǎn)便，易于維護(hù)，成本低廉
-紅外測(cè)溫傳感器 紅外線測(cè)溫傳感器  型號(hào)：DP/IR-1816性能參數(shù)
• 紅外測(cè)溫傳感器_測(cè)溫范圍：0~300°C、20~300°C、0~500°C、−20~300°C、−20~300°C、0~800°C、200-1200°C
• 紅外測(cè)溫傳感器_分辯率 ：0.1°C典型
• 紅外測(cè)溫傳感器_精度 ： 讀數(shù)的±1.0%或±1.0°C, 取大值
• 紅外測(cè)溫傳感器_重復(fù)性 ：±0.5—1°C（全測(cè)量溫度范圍）
• 紅外測(cè)溫傳感器_光譜響應(yīng) ： 8～14μm
• 紅外測(cè)溫傳感器_距離系數(shù) ：10:1
• 紅外測(cè)溫傳感器_環(huán)境溫度 ：0~75°C（若帶空氣冷卻或水冷卻罩，會(huì)使范圍更寬）
• 存儲(chǔ)溫度 ：-20～75°C
• 相對(duì)濕度 ：10~90%( 無(wú)凝露)
• 響應(yīng)時(shí)間 ：100～500ms
• 發(fā) 射 率 ：預(yù)設(shè)0.95（0.01~1.00 可定制）
• 產(chǎn)品外殼 ：不銹鋼金屬材料，IP65防護(hù)，Z大長(zhǎng)度96.8mm,Z大直徑18mm
• 供電要求 ：+5VDC、+7.5VDC、+9VDC、+12VDC、+24VDC和+18～+30VDC，
• 以及+2.7VDC、+3VDC或+3.3VDC（只在SPI 、UART輸出情況下）
• 模擬輸出 ： 4~20mA，0~5 V 或10mV/°C.
• 數(shù)字輸出 ：標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為SPI 、RS485、UART、RS232

普通采樣器/普通型取樣器/石油氣采樣器 型號(hào):DPQH
普通型采樣器的詳細(xì)資料：
普通型采樣器又稱：普通采樣器、普通型取樣器、黃銅普通采樣器、不銹鋼普通型采樣器。普通型采樣器符合GB/T4756-98家標(biāo)準(zhǔn)。普通型采樣器可分為黃銅普通型采樣器和不銹鋼普通型采樣器。
普通型采樣器適用于采取任所選液面（部、上部、中部、下部）相對(duì)未經(jīng)擾動(dòng)的試樣。其他對(duì)于采取容器部樣品可用可卸采樣器或加重采樣器；對(duì)于采取容器上部、中部、下部樣品可用任意采樣器或加重采樣器；對(duì)于采取容器底部樣品可用底部采樣器。普通型采樣器結(jié)構(gòu)精巧、使用靈活方便。普通型采樣器規(guī)格：500ml、1000ml。

四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x/四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率檢測(cè)儀   型號(hào)：DP-SB100A/3型
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量?？捎糜谛Ｎ锢斫逃龑?shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-5—106Ω。
 
DP-SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x是由DP-SB118/1型電壓電流源以及DP-SB120/2四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。
l            DP-SB118型直流電壓電流源 （詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)）
直流電流源
a)       電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
b)       量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c)       電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a)       電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；
b)       量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；
c)       電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數(shù)字電壓表（4½LED）利用電壓源部分“取樣”端可對(duì)被測(cè)電壓行測(cè)試
a)       測(cè)量量程   20mV，200mV，2V，20V，200V
b)       Z分辨力  可達(dá)1µV
c)       基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   （20±2ºC）
l            DP-SB120/2四探針樣品平臺(tái)（詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)）
為被測(cè)薄膜樣品，利用四探針測(cè)量方式測(cè)量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。

點(diǎn)式取樣器/點(diǎn)式采樣器/液化石油氣采樣器/石油產(chǎn)品取樣器 型號(hào):DPDS
點(diǎn)式取樣器的詳細(xì)資料：
點(diǎn)式取樣器又稱：點(diǎn)式取樣器、點(diǎn)式采樣器、黃銅點(diǎn)式取樣器、不銹鋼點(diǎn)式取樣器、黃銅點(diǎn)式采樣器、不銹鋼點(diǎn)式采樣器。點(diǎn)式取樣器符合GB/T4756-98家標(biāo)準(zhǔn)。點(diǎn)式取樣器可分為黃銅點(diǎn)式取樣器和不銹鋼點(diǎn)式取樣器。
點(diǎn)式取樣器可采取任所選石油及液體石油產(chǎn)品液面（部、上部、中部、下部）相對(duì)未經(jīng)擾動(dòng)的試樣，點(diǎn)式取樣器適用在大、中、小型貯油罐、油槽車以及船艙內(nèi)采取某個(gè)固定深度代表性試樣。其他對(duì)于采取容器部樣品可用可卸采樣器或加重采樣器；對(duì)于采取容器上部、中部、下部樣品可用可控采樣器或加重采樣器；對(duì)于采取容器底部樣品可用底部采樣器。點(diǎn)式取樣器結(jié)構(gòu)精巧、使用靈活方便。點(diǎn)式取樣器規(guī)格：500ml、1000ml。

四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x    型號(hào)：DP-SB100A/2
DP-SB100A/2為原DP-SB100/1及DP-SB100A/1的改型。
 
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量?？捎糜谛Ｎ锢斫逃龑?shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
 
（使用環(huán)境5—40℃，相對(duì)濕度<80%，供電220V  50Hz，為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用）
 
DP-SB100A/2由DP-SB118直流電壓電流源、DP-PZ158A直流數(shù)字電壓表、DP-SB120/2四探針樣品測(cè)試平臺(tái)三部分組成。
            DP-SB118直流電壓電流源：是臺(tái)4½位的電壓源及電流源，既可輸出5µV—50V，5檔可調(diào)電壓，基本誤差為±（0.1%RD+0.02%FS）又可輸出1nA—100mA，5檔可調(diào)電流，基本誤差為
±（0.03%RD+0.02%FS）詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品SB118。
l            DP-PZ158A直流數(shù)字電壓表：具有6½位字長(zhǎng)，0.1μV電壓分辨力的帶單片危機(jī)處理的精度電子測(cè)量?jī)x器，可測(cè)量0-1000V直流電壓?；玖砍痰幕菊`差為±（0.002%RD+0.0005%FS），詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品DP-PZ158A。
            DP-SB120/2四探針樣品測(cè)試平臺(tái)：該測(cè)試平臺(tái)是DP-SB120/1測(cè)試平臺(tái)的改型。其有底座、支架、旋動(dòng)部件、樣品平臺(tái)、四探針及接線板等組成。由于其整個(gè)結(jié)構(gòu)及旋動(dòng)方式都在原DP-SB120/1的基礎(chǔ)上作了很大的改，故在校的物理實(shí)驗(yàn)及科學(xué)研究總為導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻和電阻率的測(cè)試、研究提供了較大的方便。
 

注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對(duì)應(yīng)的