當(dāng)前位置:艾思荔模擬仿真測試設(shè)備>>訂做實(shí)驗(yàn)設(shè)備>>訂做沖擊試驗(yàn)箱>> TS-150IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī) 傳感器高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號TS-150
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地東莞市
聯(lián)系方式:陳偉查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2021-03-26 16:40:55瀏覽次數(shù):410次
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IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)用途:
國防工業(yè)、航天工業(yè)、自動(dòng)化零組件、汽車部件、塑膠,化工業(yè),食品業(yè),制藥工業(yè)及相關(guān)產(chǎn)品之耐熱、耐寒、耐干性能及研發(fā),品質(zhì)管理工程之試驗(yàn)規(guī)范。
IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)特性: http://m.caturday.cn/st45716/list_257926.html
◎全新歐美之防爆把手,的造型設(shè)計(jì)、外觀質(zhì)感高水準(zhǔn)、進(jìn)口型多功能、擴(kuò)展性強(qiáng)之控制器,操作簡單、學(xué)習(xí)容易、控制穩(wěn)定可靠、可供溫濕度及低溫雙重試驗(yàn)。
◎?qū)挸髁林暣芭涓吡炼葻晒鉄?,讓使用者可隨時(shí)觀測試驗(yàn)箱內(nèi)的狀況。
◎*的安全保護(hù),確保機(jī)器本身及使用者安全。
◎采用全毛細(xì)管,自動(dòng)負(fù)載容量調(diào)整系統(tǒng)技術(shù),較以往膨脹閥系統(tǒng)更穩(wěn)定可靠。溫度控制更精確、升降溫速度快速、平穩(wěn)、均勻、為使用者節(jié)約寶貴時(shí)間。
◎特殊強(qiáng)制送風(fēng)循環(huán)設(shè)計(jì),可避免箱內(nèi)的氣流死角,保證提供優(yōu)良的溫度分布均勻度。
◎圓弧之內(nèi)箱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),便于清洗。
◎采用對臭氧系數(shù)為零的綠色環(huán)保(HFC)制冷劑R404A,R23。
◎低噪音設(shè)計(jì)≦65Db。
IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)性能指標(biāo):
1.產(chǎn)品名稱:高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)
型號:TS-150
2.IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)樣品限制:
本試驗(yàn)設(shè)備禁止:
易燃、爆炸、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲存
腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲存
生物試樣的試驗(yàn)或儲存
強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)及儲存
IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)容積和尺寸:
1.標(biāo)稱內(nèi)容積(L):150L
2.標(biāo)稱內(nèi)箱尺寸(mm):W500×H500×D600
IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)性能:
1.測試環(huán)境條件:
2.環(huán)境溫度:5~35℃
3.相對濕度≤85%RH、循環(huán)冷卻水溫≤30℃
4.循環(huán)冷卻水供水壓力為0.25~0.4MPa 試驗(yàn)箱內(nèi)無試樣(另有說明除外)
IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)測試方法:
1.溫度范圍:-55°C/+150°C
2.溫度波動(dòng)度:±0.5℃
3.溫度偏差:±2.0℃
4.高溫槽溫度范圍:60°C/+200°C
5.低溫槽溫度范圍:-70°C/-10°C
6.溫度變化速率:
7.升溫速率:+60~+200℃≤30分鐘(高溫槽)
8.降溫速率:-10~-70℃≤90分鐘(低溫槽)
9.溫度恢復(fù)時(shí)間小于5分鐘
10.溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間小于10S
11.除霜時(shí)間:150個(gè)循環(huán)以上
12.沖擊時(shí)間:高溫(150℃)30min
13.沖擊時(shí)間:低溫(-55℃)30min
IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):
GB/T2423.1-2001試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.2-2001試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.22-2002試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn)方法試驗(yàn)Na
GJB150.3-1986高溫試驗(yàn)
GJB150.4-1986低溫試驗(yàn)
GJB150.5-1986溫度沖擊試驗(yàn)
如未特殊說明,以上IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)性能指標(biāo)均為空載情況下測定。
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