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當(dāng)前位置:艾思荔模擬仿真測試設(shè)備>>訂做實(shí)驗(yàn)設(shè)備>>訂做沖擊試驗(yàn)箱>> TS-150IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī) 傳感器高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī) 傳感器高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號TS-150

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地東莞市

聯(lián)系方式:陳偉查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2021-03-26 16:40:55瀏覽次數(shù):410次

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IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)用途:

國防工業(yè)、航天工業(yè)、自動(dòng)化零組件、汽車部件、塑膠,化工業(yè),食品業(yè),制藥工業(yè)及相關(guān)產(chǎn)品之耐熱、耐寒、耐干性能及研發(fā),品質(zhì)管理工程之試驗(yàn)規(guī)范。

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)用途:  

國防工業(yè)、航天工業(yè)、自動(dòng)化零組件、汽車部件、塑膠,化工業(yè),食品業(yè),制藥工業(yè)及相關(guān)產(chǎn)品之耐熱、耐寒、耐干性能及研發(fā),品質(zhì)管理工程之試驗(yàn)規(guī)范。  

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)特性: http://m.caturday.cn/st45716/list_257926.html 

◎全新歐美之防爆把手,的造型設(shè)計(jì)、外觀質(zhì)感高水準(zhǔn)、進(jìn)口型多功能、擴(kuò)展性強(qiáng)之控制器,操作簡單、學(xué)習(xí)容易、控制穩(wěn)定可靠、可供溫濕度及低溫雙重試驗(yàn)。  

◎?qū)挸髁林暣芭涓吡炼葻晒鉄?,讓使用者可隨時(shí)觀測試驗(yàn)箱內(nèi)的狀況。  

◎*的安全保護(hù),確保機(jī)器本身及使用者安全。  

◎采用全毛細(xì)管,自動(dòng)負(fù)載容量調(diào)整系統(tǒng)技術(shù),較以往膨脹閥系統(tǒng)更穩(wěn)定可靠。溫度控制更精確、升降溫速度快速、平穩(wěn)、均勻、為使用者節(jié)約寶貴時(shí)間。  

◎特殊強(qiáng)制送風(fēng)循環(huán)設(shè)計(jì),可避免箱內(nèi)的氣流死角,保證提供優(yōu)良的溫度分布均勻度。  

◎圓弧之內(nèi)箱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),便于清洗。  

◎采用對臭氧系數(shù)為零的綠色環(huán)保(HFC)制冷劑R404A,R23。  

◎低噪音設(shè)計(jì)≦65Db。  

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)性能指標(biāo):  

1.產(chǎn)品名稱:高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)  

型號:TS-150  

2.IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)樣品限制:  

本試驗(yàn)設(shè)備禁止:  

易燃、爆炸、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲存  

腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲存  

生物試樣的試驗(yàn)或儲存  

強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)及儲存  

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)容積和尺寸:  

1.標(biāo)稱內(nèi)容積(L):150L  

2.標(biāo)稱內(nèi)箱尺寸(mm):W500×H500×D600  

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)性能:  

1.測試環(huán)境條件:  

2.環(huán)境溫度:5~35℃  

3.相對濕度≤85%RH、循環(huán)冷卻水溫≤30℃  

4.循環(huán)冷卻水供水壓力為0.25~0.4MPa 試驗(yàn)箱內(nèi)無試樣(另有說明除外)  

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)測試方法:  

1.溫度范圍:-55°C/+150°C  

2.溫度波動(dòng)度:±0.5℃  

3.溫度偏差:±2.0℃  

4.高溫槽溫度范圍:60°C/+200°C  

5.低溫槽溫度范圍:-70°C/-10°C  

6.溫度變化速率:  

7.升溫速率:+60~+200℃≤30分鐘(高溫槽)  

8.降溫速率:-10~-70℃≤90分鐘(低溫槽)  

9.溫度恢復(fù)時(shí)間小于5分鐘  

10.溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間小于10S  

11.除霜時(shí)間:150個(gè)循環(huán)以上  

12.沖擊時(shí)間:高溫(150℃)30min  

13.沖擊時(shí)間:低溫(-55℃)30min  

IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):  

GB/T2423.1-2001試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法  

GB/T2423.2-2001試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法  

GB/T2423.22-2002試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn)方法試驗(yàn)Na  

GJB150.3-1986高溫試驗(yàn)  

GJB150.4-1986低溫試驗(yàn)  

GJB150.5-1986溫度沖擊試驗(yàn)  

如未特殊說明,以上IC半導(dǎo)體高低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)性能指標(biāo)均為空載情況下測定。  

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