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標準電極同軸Ge探測器特征

• 能量范圍從 40 keV 到 >10 MeV

• 高分辨率 - 良好的峰形

• 出色的定時分辨率

• 高能量率能力

• 配備智能前置放大器

• 二極管場效應管保護

• 預熱/高壓關斷

• USB 2.0 串行接口

標準電極同軸Ge探測器描述

傳統(tǒng)的同軸鍺探測器通常被稱為Pure Ge，HPGe，Intrinsic Ge或Hyperpure Ge。無論使用何種，探測器基本上是一個鍺圓柱體，外表面有n型觸點，軸向井表面有p型觸點。鍺的凈雜質水平約為1010原子/cc使得在適度反向偏置的情況下，電極之間的整個體積被耗盡，并且電場延伸到這個活動區(qū)域。該區(qū)域內的光子相互作用產生電荷載流子，電場將其掃過到其收集電極，其中電荷敏感的前置放大器將此電荷轉換為與沉積在檢測器中的能量成比例的電壓脈沖。

n和p觸點或電極通常分別是擴散鋰和植入硼。外部n型擴散鋰觸點約0.5 mm厚。內部接觸約0.3μm厚。表面屏障可以代替植入的硼，并具有相同的結果。

Mirion同軸Ge探測器可以在不冷卻的情況下運輸和儲存。但是，保持探測器冷藏可以地保持長期穩(wěn)定性。像所有鍺探測器一樣，在使用時必須冷卻它，以避免過多的熱產生泄漏電流。該探測器的不易腐爛特性拓寬了Ge光譜儀的應用范圍，包括便攜式光譜儀的現(xiàn)場使用。

同軸Ge探測器的有用能量范圍為40 keV至10 MeV以上。分辨率和峰值形狀非常出色，并且具有廣泛的效率范圍。下表列出了可用型號的列表。

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