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反電極同軸Ge探測(cè)器特征

• 光譜范圍從 3 keV 到 >10 MeV

• 超薄離子植入觸點(diǎn)

• 抗輻射損傷

• 出色的定時(shí)分辨率

• 高能量率能力

• 配備智能前置放大器

• 二極管場(chǎng)效應(yīng)管保護(hù)

• 預(yù)熱/高壓關(guān)斷

• USB 2.0 串行接口

反電極同軸Ge探測(cè)器描述

反向電極（REGe）探測(cè)器在幾何形狀上與其他同軸鍺探測(cè)器相似，但有一個(gè)重要區(qū)別。REGe檢測(cè)器的電極與傳統(tǒng)的同軸檢測(cè)器相反，因?yàn)閜型電極（離子注入硼）位于外部，n型觸點(diǎn)（擴(kuò)散鋰）位于內(nèi)部。這種電極布置有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn) - 窗口厚度和抗輻射損傷性。

與鋰擴(kuò)散觸點(diǎn)相比，離子注入的外部觸點(diǎn)非常?。?.3μm），使REGe探測(cè)器能夠覆蓋從3 keV到幾個(gè)MeV的寬能量范圍。REGe探測(cè)器通常配備碳復(fù)合材料窗口，該窗口堅(jiān)固耐用，可在10 keV以下提供出色的透射率。還提供鈹或鋁窗。當(dāng)對(duì)低于20 keV的能量不感興趣并且需要提高堅(jiān)固性時(shí)，鋁是。應(yīng)選擇鈹，以充分利用REGe探測(cè)器的低能量能力（低至3 keV）。

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)輻射損傷，主要是由于中子或帶電粒子，導(dǎo)致鍺中的空穴捕獲。與傳統(tǒng)的同軸探測(cè)器不同，孔由REGe探測(cè)器的外部電極收集。由于位于給定距離（? R）內(nèi)的活性探測(cè)器體積比位于外部接觸的給定距離內(nèi)（體積≈R2）要大得多，因此，平均而言，孔被吸引到外部接觸時(shí)的行進(jìn)距離比被吸引到內(nèi)部接觸的距離要小。由于行進(jìn)距離較短，它們不太可能被困在輻射損壞的材料中。當(dāng)然，提高抗輻射損傷的程度取決于其他事實(shí)，但實(shí)驗(yàn)證據(jù)表明，REGe探測(cè)器的抗損傷能力可能是傳統(tǒng)同軸鍺探測(cè)器的10倍。

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