一、簡述

霍爾效應是電磁學中的一個重要實驗，其應用日益廣泛。霍爾效應可以測定材料的載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)，判斷材料的導電類型，是研究半導體材料的重要手段?；魻栃梢詼y量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉(zhuǎn)化成交流電流并對它進行調(diào)制、放大。應用霍爾效應制作的傳感器廣泛用于磁場、位置、位移、轉(zhuǎn)速的測量。

本實驗儀可使實驗者了解霍爾效應的原理、學會用霍爾效應測量磁場，儀器設有過熱、過壓、過流保護，實驗中不會損壞電流源和霍爾元件，特別適合學生自己動手、研究和分析實驗現(xiàn)象。

儀器配備國產(chǎn)霍爾元件和進口霍爾元件各１個。其中國產(chǎn)霍爾元件為硅，額定工作電流為10mA，透明環(huán)氧封裝，元件直觀性好；進口霍爾為砷化鎵（GaAs），Ｎ型半導體材料，額定工作電流為2.5mA,塑料封裝，外形如塑封三極管，使用方便，不易損壞。電磁鐵氣隙4mm，Z大磁感應強度接近500mT。

二、實驗內(nèi)容

1． 測量霍爾電流I_H與霍爾電壓U_H的關系

2． 測量霍爾元件的靈敏度K_H.

3． 測量磁化曲線(或測量勵磁電流I_M與B的關系。)

4． 測量電磁鐵磁場沿水平方向的分布

三、主要技術參數(shù)

1. 電磁鐵磁感應強度＞450mT/A.

2. 進口砷化鎵（GaAs）霍爾和國產(chǎn)硅（Si）霍爾兩種實驗樣品

3. 恒流源1：0～1000mA，

4. 恒流源2：0～19.99mA，

5. 三位半數(shù)碼管顯示

6. 四位半電壓表量程：0～±199.99mV.