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北京多晶電子科技有限公司


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N64S818HA 閃存存儲(chǔ)器

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品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地北京市

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更新時(shí)間：2025-01-18 09:39:30瀏覽次數(shù)：71次

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所在地區(qū)：北京北京市

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N64S818HA 閃存存儲(chǔ)器更新：2016-4-27 15:19:34點(diǎn)擊：產(chǎn)品品牌ON產(chǎn)品型號(hào)N64S818HA產(chǎn)品描述簡(jiǎn)單的內(nèi)存控制：?jiǎn)涡酒x擇（CS），串行輸入（SI）和串行輸出（SO）...PDF下載 詢價(jià) 申請(qǐng)樣品

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹

描述

安森美半導(dǎo)體串行SRAM系列包括多款集成的內(nèi)存設(shè)備，包括這個(gè)64K的串行方式訪問(wèn)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，由8位內(nèi)部組織為8千字。該設(shè)備的設(shè)計(jì)，并使用的CMOS技術(shù)，以提供高速的性能和低功耗制造。該器件在單芯片選擇（CS）輸入，并使用一個(gè)簡(jiǎn)單的串行外設(shè)接口（SPI）串行總線。在一個(gè)單一的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)輸出線用于沿與時(shí)鐘的裝置內(nèi)的訪問(wèn)數(shù)據(jù)。該N64S818HA設(shè)備包括一個(gè)HOLD引腳，允許通信設(shè)備被暫停。暫停時(shí)，輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。該設(shè)備可以為-40℃的寬的溫度范圍內(nèi)工作，以+ 85℃，可以在幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)包裝產(chǎn)品提供。

特性

1.7〜1.95 V的電源電壓范圍

極低的待機(jī)電流 - 低至200 nA的

極低的工作電流 - 低至3毫安

簡(jiǎn)單的內(nèi)存控制：?jiǎn)涡酒x擇（CS），串行輸入（SI）和串行輸出（SO）

靈活的操作模式：字讀寫(xiě)，頁(yè)面模式（32字頁(yè)）和突發(fā)模式（全陣列）

為8K×8位的組織

自定時(shí)寫(xiě)周期

內(nèi)建寫(xiě)保護(hù)（CS高）

HOLD引腳用于暫停通信

高可靠性 - 無(wú)限寫(xiě)入周期

符合RoHS封裝 - 綠色SOIC和TSSOP

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn)

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