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北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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材料測(cè)試儀
計(jì)量測(cè)控儀器
材料制樣設(shè)備
校準(zhǔn)裝置
封裝機(jī)
萬(wàn)用表
進(jìn)口設(shè)備
高低溫方阻測(cè)試系統(tǒng)
材料電學(xué)高溫測(cè)試設(shè)備
材料電學(xué)性能測(cè)試儀
材料熱學(xué)性能測(cè)試儀
材料電磁學(xué)性能測(cè)試儀
航空航天測(cè)試裝置
材料高溫力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)
材料樣品高低溫平臺(tái)
材料電化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備
自動(dòng)化實(shí)驗(yàn)設(shè)備
柔性電子材料測(cè)試儀
納米材料設(shè)備
先進(jìn)材料測(cè)試儀器
半導(dǎo)體材料設(shè)備
新能源及儲(chǔ)能

我單位BKTEM-DX型熱電材料參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)參加會(huì)議

時(shí)間:2024-9-2閱讀:145
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第十六次中國(guó)熱電材料及應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議

一、會(huì)議簡(jiǎn)介

       第十六次中國(guó)熱電材料及應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議將于2024年10月13~16日在重慶山城國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本次會(huì)議主旨擬召集全國(guó)從事熱電轉(zhuǎn)換材料及器件應(yīng)用的科研工作者,交流最新科研成果,討論本領(lǐng)域國(guó)際研究前沿與熱點(diǎn)。會(huì)議期間將召開(kāi)中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)熱電材料及應(yīng)用分會(huì)第四屆第三次理事會(huì)會(huì)議。本次會(huì)議將評(píng)選優(yōu)秀青年科學(xué)家獎(jiǎng)、優(yōu)秀研究生獎(jiǎng)、優(yōu)秀報(bào)告獎(jiǎng)和優(yōu)秀墻報(bào)獎(jiǎng)。

二、會(huì)議主題
       會(huì)議主題包括但不限于:
              1、熱電輸運(yùn)理論與材料計(jì)算,分會(huì)召集人:楊炯、劉惠軍、鄧天琪。
              2、高性能熱電材料及其制備與多尺度微結(jié)構(gòu)表征,分會(huì)召集人:何佳清、王玉梅、蘇賢禮。  
              3、柔性/有機(jī)熱電材料與器件,分會(huì)召集人:陳光明,杜永,姚琴,蔣慶林,焦飛。
              4、低維與復(fù)合熱電材料,分會(huì)召集人:趙立東、譚剛健、徐骉、羅裕波。
              5、熱電磁材料與器件,分會(huì)召集人:趙文俞、賈爽、付晨光、潘瑜。
              6、熱電器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與應(yīng)用,分會(huì)召集人:柏勝?gòu)?qiáng)、鄢永高、呂冬翔、劉紫航。
              7、熱電新概念及前沿交叉,分會(huì)召集人:林元華、張倩、魏天然、李文。
              8、面向熱電應(yīng)用的熱管理材料及技術(shù),分會(huì)召集人:鄧元、苗蕾、毛俊、劉睿恒。
              9、小溫差熱電器件設(shè)計(jì)與應(yīng)用,分會(huì)召集人:劉瑋書(shū)、王連軍、蔣慶林、劉暢。

       歡迎全國(guó)從事熱電學(xué)理論、熱電材料與應(yīng)用等領(lǐng)域研究與開(kāi)發(fā)的專(zhuān)家學(xué)者、在校學(xué)生以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)界同行參加本次會(huì)議。本次會(huì)議期間同時(shí)舉辦產(chǎn)品設(shè)備展,歡迎與熱電材料及應(yīng)用相關(guān)的原料、設(shè)備、檢測(cè)、儀器儀表等企業(yè)參展。

我單位BKTEM-DX型熱電材料參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)參加會(huì)議。

5.高級(jí)應(yīng)用程序控溫技術(shù),包括溫差和測(cè)量步進(jìn)等高級(jí)要求;

6. 0-50K范圍的溫差可隨意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù);

7.自由升/降溫、可控制溫度程序,進(jìn)行升溫、恒溫與降溫過(guò)程中的數(shù)據(jù)測(cè)量;

8.溫度檢測(cè)可選S 型熱電偶,適合測(cè)量Si系列熱電材料(SiGe,MgSi等);

9. 熱電偶探針可選K、S、R型(無(wú)需鎧裝)配置,不會(huì)產(chǎn)生非常大的接觸電阻;

10.熱電偶間距可以跟根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)或固定,滿(mǎn)足不同科研要求;

11:標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級(jí)商用吉時(shí)利(Keithley )數(shù)采儀表,避免電路板集成數(shù)據(jù)采集技術(shù)帶來(lái)的干擾誤差;

12:恒流源參數(shù):0.000-220mA;恒流設(shè)置分辨率:100nA;恒流穩(wěn)定性:0.008+20nA/天;

13:溫度范圍:RT up to 1150℃;

14:控溫速率:0.01 –100K/min,可以節(jié)約用戶(hù)測(cè)試時(shí)間;

15:測(cè)量范圍:賽貝克系數(shù):0.5μV/K-25V/K;電阻率:0.2μO(píng)hmm-2.5KOhmm;

16: 0-80K溫差范圍可任意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù);

17:U-I曲線(xiàn)自動(dòng)掃描,計(jì)算出合適的電流數(shù)值,可以測(cè)量電導(dǎo)率;

不會(huì)對(duì)大電阻樣品產(chǎn)生誤差;

18:熱電偶間距可以根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)后固定,滿(mǎn)足不同科研要求;

19:精度:賽貝克系數(shù):±7 %;電導(dǎo)系數(shù):±10 %(熱電材料測(cè)試,非康銅標(biāo)樣);

20:重復(fù)性:3%;

21:測(cè)量系統(tǒng):柱狀、片狀、長(zhǎng)方體、薄膜等系統(tǒng);

五:儀器主要技術(shù)參數(shù):

1:溫度范圍:RT up to 1200℃;

2:溫度分辨率:0.001℃;

3:控溫精度:+/-0.25K;

4:恒流源:0.000-220mA;分辨率:100nA;穩(wěn)定性:0.008+20nA/天,標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級(jí)商用吉時(shí)利(Keithley )數(shù)采儀表。Keithley技術(shù): 100nV rms 噪音本底,直流電壓靈敏度低至10nV,基本精度為0.002%(90天)7ppm DCV可重復(fù)性,基本1年DCV準(zhǔn)確度:0.0028%

讀取速度范圍:2k讀數(shù)/秒;

溫度分辨率:0.001℃;

交流電壓分辨率:0.1μV

電阻分辨率:1 μΩ

電流分辨率:1nA



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