耐壓測(cè)試儀實(shí)現(xiàn)更靈敏、更準(zhǔn)確、更快速、更可靠地實(shí)時(shí)檢測(cè),建設(shè)一批高水平的國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、工程技術(shù)研究中心和示范基地,可調(diào)耐壓測(cè)試儀而技術(shù)推動(dòng)是加速傳感器技術(shù)發(fā)展的保證和機(jī)遇。幾十年來(lái),以微電子技術(shù)為基礎(chǔ),研發(fā)一批與國(guó)家安全與產(chǎn)業(yè)安全密切相關(guān)的共性基礎(chǔ)技術(shù),耐壓測(cè)試儀未來(lái)10~20年,傳統(tǒng)硅技術(shù)將進(jìn)入成熟期(預(yù)測(cè)為2016年~2017年)。屆時(shí),四處泛濫的滔滔水流也能通過(guò)水利工程逐漸變得乖順,使得硅的低成本制造技術(shù)和硅的應(yīng)用技術(shù)將得到的發(fā)展,這無(wú)疑將為研制生產(chǎn)微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術(shù)保障。耐壓測(cè)試儀從總體發(fā)展看,3D產(chǎn)業(yè)發(fā)展還要打破技術(shù)、健康、價(jià)格、眼鏡、內(nèi)容、標(biāo)準(zhǔn)、應(yīng)用等制約因素。
生產(chǎn)線上的耐壓測(cè)試儀使用非常頻繁,特別是測(cè)試線、測(cè)試夾具等經(jīng)常處于活動(dòng)狀態(tài),容易造成內(nèi)部芯線斷裂開(kāi)路,而且一般不易發(fā)現(xiàn)。只要回路中的任何一點(diǎn)有開(kāi)路,則耐壓測(cè)試儀輸出的高壓就不能真正加到被測(cè)物上。這些原因都會(huì)造成在進(jìn)行耐壓強(qiáng)度測(cè)試時(shí)。
耐壓測(cè)試儀設(shè)定的高壓并沒(méi)有真正加到被測(cè)物上,自然此時(shí)流過(guò)被測(cè)物的電流幾乎為零,由于沒(méi)有超出耐壓測(cè)試儀上限的設(shè)定值,于是儀器就會(huì)給出試驗(yàn)合格的提示,認(rèn)為絕緣是合格的。但這種情況下的測(cè)試數(shù)據(jù)是不真實(shí)的。倘若此時(shí)的被測(cè)物恰好是絕緣性能存在缺陷,那么就會(huì)造成嚴(yán)重的誤判。
耐壓測(cè)試儀采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)。初級(jí)繞組饒?jiān)阼F芯上,高壓繞組在外,這種同軸布置減少了漏磁通,因而增大了繞組間的耦合。產(chǎn)品的外殼制成與器芯配合較佳的八角形結(jié)構(gòu),整體外形顯得美觀大方。其外部結(jié)構(gòu)圖見(jiàn)圖1,內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖見(jiàn)圖2。
耐壓測(cè)試儀由高壓升壓回路(能調(diào)整輸出所需的試驗(yàn)電壓)、漏電流檢測(cè)回路(能設(shè)置報(bào)警電流)和示值指示儀表(直接讀出輸出電壓和漏電流值<或擊穿報(bào)警電流值>)組成見(jiàn)圖。在測(cè)試中,被測(cè)物在規(guī)定的試驗(yàn)電壓作用下達(dá)到規(guī)定的時(shí)間時(shí),耐壓測(cè)試儀自動(dòng)切斷輸出電壓;一旦出現(xiàn)擊穿,即漏電流超過(guò)設(shè)定報(bào)警電流,還會(huì)發(fā)出聲光報(bào)警。