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       陶瓷基板材料以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。在現(xiàn)如今工業(yè)發(fā)展革命前夕，將會給工業(yè)革命帶來不一樣的變化。如果身為電子電器行業(yè)的人才，還知道陶瓷基板的話，可就丟人咯！那么今天，斯利通陶瓷電路板小編就來給家普及一下陶瓷基板的種類以及特征比較。

       一、按材料來分
       1、 Al2O3
       到目前為止，氧化鋁基板是電子工業(yè)中zui常用的基板材料，因為在機(jī)械、熱、電性能上相對于大多數(shù)其他氧化物陶瓷，強(qiáng)度及化學(xué)穩(wěn)定性高，且原料來源豐富，適用于各種各樣的技術(shù)制造以及不同的形狀。目前斯利通氧化鋁基板已經(jīng)可以進(jìn)行三維定制。
       2、BeO
       具有比金屬鋁還高的熱導(dǎo)率，應(yīng)用于需要高熱導(dǎo)的場合，但溫度超過300℃后迅速降低，zui重要的是由于其毒性限制了自身的發(fā)展。
       3 、AlN
       AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導(dǎo)率，一個是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。目前AlN生產(chǎn)技術(shù)國內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級，這種瓶頸終會消失。
       綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較*的綜合性能，在目前微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運用。

       二、 按制造工藝來分
       現(xiàn)階段較普遍的陶瓷散熱基板種類共有HTCC、LTCC、DBC、DPC、LAM五種，其中LAM屬于斯利通與華中科技大學(xué)國家光電實驗室合作的技術(shù)，HTCC\LTCC都屬于燒結(jié)工藝，成本都會較高。
       而DBC與DPC則為國內(nèi)近幾年才開發(fā)成熟，且能量產(chǎn)化的專業(yè)技術(shù)，DBC是利用高溫加熱將Al2O3與Cu板結(jié)合，其技術(shù)瓶頸在于不易解決Al2O3與Cu板間微氣孔產(chǎn)生之問題，這使得該產(chǎn)品的量產(chǎn)能量與良率受到較大的挑戰(zhàn)，而DPC技術(shù)則是利用直接鍍銅技術(shù)，將Cu沉積于Al2O3基板之上，其工藝結(jié)合材料與薄膜工藝技術(shù)，其產(chǎn)品為近年zui普遍使用的陶瓷散熱基板。然而其材料控制與工藝技術(shù)整合能力要求較高，這使得跨入DPC產(chǎn)業(yè)并能穩(wěn)定生產(chǎn)的技術(shù)門檻相對較高。LAM技術(shù)又稱作激光快速活化金屬化技術(shù)。

       1、HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic)
       HTCC又稱為高溫共燒多層陶瓷，生產(chǎn)制造過程與LTCC極為相似，主要的差異點在于HTCC的陶瓷粉末并無加入玻璃材質(zhì)，因此，HTCC的必須再高溫1300~1600℃環(huán)境下干燥硬化成生胚，接著同樣鉆上導(dǎo)通孔，以網(wǎng)版印刷技術(shù)填孔與印制線路，因其共燒溫度較高，使得金屬導(dǎo)體材料的選擇受限，其主要的材料為熔點較高但導(dǎo)電性卻較差的鎢、鉬、錳…等金屬，zui后再疊層燒結(jié)成型。

       2、 LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic)
       LTCC 又稱為低溫共燒多層陶瓷基板，此技術(shù)須先將無機(jī)的氧化鋁粉與約30%~50%的玻璃材料加上有機(jī)黏結(jié)劑，使其混合均勻成為泥狀的漿料，接著利用刀把漿料成片狀，再經(jīng)由一道干燥過程將片狀漿料形成一片片薄薄的生胚，然后依各層的設(shè)計鉆導(dǎo)通孔，作為各層訊號的傳遞，LTCC內(nèi)部線路則運用網(wǎng)版印刷技術(shù)，分別于生胚上做填孔及印制線路，內(nèi)外電極則可分別使用銀、銅、金等金屬，zui后將各層做疊層動作，放置于850~900℃的燒結(jié)爐中燒結(jié)成型，即可完成。

       3、 DBC (Direct Bonded Copper)
       直接敷銅技術(shù)是利用銅的含氧共晶液直接將銅敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接過程前或過程中在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素，在1065℃~1083℃范圍內(nèi)，銅與氧形成Cu-O共晶液， DBC技術(shù)利用該共晶液一方面與陶瓷基板發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成 CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸潤銅箔實現(xiàn)陶瓷基板與銅板的結(jié)合。

       4、 DPC (Direct Plate Copper)
       DPC亦稱為直接鍍銅基板， DPC基板工藝為例：首先將陶瓷基板做前處理清潔，利用薄膜專業(yè)制造技術(shù)－真空鍍膜方式于陶瓷基板上濺鍍結(jié)合于銅金屬復(fù)合層，接著以黃光微影之光阻被復(fù)曝光、顯影、蝕刻、去膜工藝完成線路制作，zui后再以電鍍/化學(xué)鍍沉積方式增加線路的厚度，待光阻移除后即完成金屬化線路制作。

       5、 LAM（Laser Activation Metallization）斯利通技術(shù)
       利用高能激光束將陶瓷和金屬離子態(tài)化，讓它們長在一起使他們牢固的結(jié)合在一起。
       LAM產(chǎn)品的特性：
       a、更高的熱導(dǎo)率：傳統(tǒng)的鋁基電路板MCPCB的熱導(dǎo)率是1～2W/mk，銅本身的導(dǎo)熱率是383.8W/m.K但是絕緣層的導(dǎo)熱率只有1.0W/m.K.左右，好一點的能達(dá)到1.8W/m.K。氧化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率：15～35 W/m.k，氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率：170～230 W/m.k，銅基板的導(dǎo)熱率為2W/(m*K)，；鋁/銅基電路板：本身鋁熱導(dǎo)率高，但是鋁/銅基電路板上有絕緣層，導(dǎo)致整塊板導(dǎo)熱率下降。斯利通可以用陶瓷基代替絕緣層，以鋁/銅為基板，以陶瓷基為絕緣層。
       b、更匹配的熱膨脹系數(shù)：正常開燈時溫度高達(dá)80℃~90℃，溫度承受不住會導(dǎo)致焊接不牢。一般的燈是0.1w，0.3w,0.5w，對于1w,3w，5w，的燈時，PVC承受不住。陶瓷和芯片的熱膨脹系數(shù)接近，不會在溫差劇變時產(chǎn)生太大變形導(dǎo)致線路脫焊，內(nèi)應(yīng)力等問題！
       c、更牢、更低阻的金屬膜層：產(chǎn)品上金屬層與陶瓷基板的結(jié)合強(qiáng)度高，zui大可以達(dá)到45MPa（大于1mm厚陶瓷片自身的強(qiáng)度）；金屬層的導(dǎo)電性好，例如，得到的銅的體積電阻率小于2.5×10－6Ω.cm，電流通過時發(fā)熱??；
       d、基板的可焊性好，使用溫度高：耐焊接，可多次重復(fù)焊接；
       e、絕緣性好：耐擊穿電壓高達(dá)20KV/mm；
       f、導(dǎo)電層厚度在1μm～1mm內(nèi)任意定制：可根據(jù)電路模塊設(shè)計任意電流，銅層越厚，可以通過的電流越大。而傳統(tǒng)的DBC技術(shù)只能制造100μm～600μm厚的導(dǎo)電層；傳統(tǒng)的DBC技術(shù)做﹤100μm時生產(chǎn)溫度太高會融化，做﹥600μm時銅層太厚，銅會流下去導(dǎo)致產(chǎn)品邊緣模糊。DPC技術(shù)國內(nèi)能做到300um就很不錯了，這個和技術(shù)有關(guān)，這個是在薄金屬層上后期電鍍銅增厚，但是在電鍍?nèi)芤褐须x子濃度會變化，會導(dǎo)致在電鍍過程中板子電極處很厚，而其他地方電鍍不上去。斯利通的銅箔是覆上去的，所以厚度1μm～1mm內(nèi)任意定制，精度很準(zhǔn)。
       g、高頻損耗?。?/span>可進(jìn)行高頻電路的設(shè)計和組裝；介電常數(shù)小，
       h、可進(jìn)行高密度組裝：線/間距（L/S）分辨率可以達(dá)到20μm,從而實現(xiàn)設(shè)備的短、小、輕、薄化；
       i、不含有機(jī)成分：耐宇宙射線，在航空航天方面可靠性高，使用壽命長；
       j、銅層不含氧化層：可以在還原性氣氛中長期使用。
       k、三維基板、三維布線：這是斯利通產(chǎn)品的又一個*技術(shù)。

       總結(jié)：
       雖LTCC、HTCC、DBC、DPC與LAM等陶瓷基板都已廣泛使用與研究，然而，在高功率LED陶瓷散熱領(lǐng)域而言，LAM在目前發(fā)展趨勢看來，可以說是高功率LED發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。