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電測失效可分為連接性失效、電參數(shù)失效和gong能失效。
連接性失效包括開路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測試，現(xiàn)場失效多數(shù)由靜電放電（ESD）和過電應(yīng)力（EOS）引起。
電參數(shù)失效，需進(jìn)行較復(fù)雜的測量，主要表現(xiàn)形式有參數(shù)值超出規(guī)定范圍（超差）和參數(shù)不穩(wěn)定。
確認(rèn)gong能失效，需對元器件輸入一個(gè)已知的激勵信號，測量輸出結(jié)果。如測得輸出狀態(tài)與預(yù)計(jì)狀態(tài)相同，則元器件gong能正常，否則為失效,gong能測試主要用于集成電路。
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。gong能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜gong能測試設(shè)備和測試程序的情況下，有可能用簡單的連接性測試和參數(shù)測試方法進(jìn)行電測，結(jié)合物理失效分析技術(shù)的應(yīng)用仍然可獲得令人滿意的失效分析結(jié)果。
3、非破壞檢查
名稱 應(yīng)用優(yōu)勢 主要原理
X射線透視技術(shù) 以低密度區(qū)為背景，觀察材料的高密度區(qū)的密度異常點(diǎn) 透視X光的被樣品局部吸收后成象的異常
反射式掃描聲學(xué)顯微術(shù)（C－SAM） 以高密度區(qū)為背景，觀察材料內(nèi)部空隙或低密度區(qū) 超聲波遇空隙受阻反射

X-Ray檢測，即為在不破壞芯片情況下，利用X射線透視元器件（多方向及角度可選），檢測元器件的封裝情況，如氣泡、邦定線異常，晶粒尺寸，支架方向等。

適用情境：檢查邦定有無異常、封裝有無缺陷、確認(rèn)晶粒尺寸及l(fā)ayout
優(yōu)勢：工期短，直觀易分析
劣勢：獲得信息有限
局限性：
1、相同批次的器件，不同封裝生產(chǎn)線的器件內(nèi)部形狀略微不同；
2、內(nèi)部線路損傷或缺陷很難檢查出來，必須通過gong能測試及其他試驗(yàn)獲得。
案例分析：
X-Ray 探傷----氣泡、邦定線

X-Ray 真?zhèn)舞b別----空包彈（圖中可見，未有晶粒）

“徒有其表”

下面這個(gè)才是貨真價(jià)實(shí)的

X-Ray用于產(chǎn)地分析（下圖中同品牌同型號的芯片）

X-Ray 用于失效分析（PCB探傷、分析）

（下面這個(gè)密密麻麻的圓點(diǎn)就是BGA的錫珠。下圖我們可以看出，這個(gè)芯片實(shí)際上是BGA二次封裝的）

4、打開封裝
開封方法有機(jī)械方法和化學(xué)方法兩種,按封裝材料來分類，微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二極管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。?

5、顯微形貌像技術(shù)
光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)
掃描電子顯微鏡的二次電子像技術(shù)
電壓效應(yīng)的失效定位技術(shù)

6、半導(dǎo)體主要失效機(jī)理分析
電應(yīng)力（EOD）損傷
靜電放電（ESD）損傷
封裝失效
引線鍵合失效
芯片粘接不良
金屬半導(dǎo)體接觸退化
鈉離子沾污失效
氧化層針孔失效

芯片失效分析