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某實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用直流磁控濺射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 結(jié)合正交試驗(yàn)表通過改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù), 在普通玻璃襯底上制備得到ZnO: Al(ZAO)透明導(dǎo)電薄膜.
試驗(yàn)設(shè)備:
伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 220 進(jìn)行濺射, 選用 ZAO 陶瓷靶, 基片為普通玻璃, 普發(fā) Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.
工藝要求:
靶與基片距離為5cm, 濺射時(shí)間為30 min
伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào) | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
推薦理由:
聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
在整個(gè)實(shí)驗(yàn)工藝中工作氣壓保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.
伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技術(shù)參數(shù)如下:
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.
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