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Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤

來源:上海伯東企業(yè)有限公司   2020年11月25日 16:21  

某薄膜磁盤制造采用Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤去除濺射鍍制磁盤薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 技術(shù)參數(shù):

Model

MEL3100

 

Main body

Wafer size

3"6"

 

Power
Supply

AC200V 3ph 40A

Wafer per batch

1 wafer

 

*two lines

Cassette

No.

25 wafers

 

Cooling
Water

15 (l/min)

Q'ty

1pc.

 

<20

Throughput

10 (wafer/hr) *1

 

CDA

0.5 (MPa)

Pressure

Ultimate

8×10-5 (Pa) *2

 

>10 (l/min)

Process

2×10-2 (Pa) *2

 

N2

0.2 (MPa)

Etching

Rate

>10 (nm/min)@SiO2 *3

 

>40 (l/min)

Uniformity

±5%@132mm (6") *3

 

Ar

0.2 (MPa)

Wafer surface temp.

<100 *3

 

20 (sccm)

Stage rotating

120 (rpm) ±5%

 

He

0.2 (MPa)

Stage tilting

±90°±0.5°

 

20 (sccm)

Dimension
W×D×H (mm)

Main body

1,600×2,175×1,900

 

*need additional utilities
  for Dry pump

Controller

640×610×1,900

 

Chiller

555×515×1,025

 

 

 

Weight (kg)

Main body

1,700

 

 

 

Controller

200

 

 

 

Chiller

100

 

 

 

*1: Estimated process time 5min

 

 

 

*2: No wafer on stege / process chamber

 

 

 

*3: Depending on process

   

 

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢:

1. 所有流程全自動減少人工操作從而保證了產(chǎn)品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量

2. 盒式房間采用高效微粒過濾器

3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 占用空間小

5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機器人

6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動機

9. 容易維護這個系統(tǒng)設(shè)計重點是容易維護和用戶友好

10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時間和本地服務(wù)能力,減少停機時間的工具

 

 Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

運行結(jié)果:

1. 有效去除濺射沉積時帶來的污染物

2. 提高了薄膜磁盤的均勻度

3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì)

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