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由于超導(dǎo)磁體的廣泛使用，強(qiáng)磁場(chǎng)下許多物理特性與溫度的關(guān)系，已成為低溫物理實(shí)驗(yàn)的重要內(nèi)容，強(qiáng)磁場(chǎng)下溫度的測(cè)量與控制已成為很有意義的課題。
　　各類電阻敏感元件例如金屬膜電阻、半導(dǎo)體電阻、二極管正向電阻等，它們的電阻值不僅隨溫度的變化而變化，而且由于磁阻效應(yīng)，其電阻值還隨著磁場(chǎng)的變化而變化。所以，在使用此類電阻敏感元件時(shí)，由于磁場(chǎng)的存在，必會(huì)產(chǎn)生誤差。例如，用于低溫溫度測(cè)量?jī)?yōu)勢(shì)zui多的Ge電阻溫度計(jì)，在4.2K及磁場(chǎng)為8T時(shí)，誤差高達(dá)50%以上，磁場(chǎng)越強(qiáng)，誤差越大。所以，許多電阻敏感元件在強(qiáng)磁場(chǎng)下根本不能使用。滲碳玻璃電阻溫度計(jì)（CGRT）的重現(xiàn)性，穩(wěn)定性比碳電阻要好得多，并且使用溫區(qū)覽，靈敏度高，磁阻效應(yīng)又比較小，所以被國(guó)內(nèi)外大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室所采用，特別是用于強(qiáng)磁場(chǎng)里的溫度測(cè)量。
　　由于CGRT的磁阻值可以用一些簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)計(jì)算，所以為用CGRT進(jìn)行強(qiáng)磁場(chǎng)里的溫度控制與測(cè)量提供了可能。
　　一、強(qiáng)磁場(chǎng)下用電容進(jìn)行溫度控制與測(cè)量的特征
　　雖然SrTi4電容幾乎不受磁場(chǎng)的影響，用它進(jìn)行強(qiáng)磁場(chǎng)下溫度的控制與測(cè)量的儀器和探頭都已商品化，不少人高度贊揚(yáng)和評(píng)價(jià)電容控溫的方法。但是，它存在許多不足之處，例如靈敏度不太高，在溫度范圍為50-80K，和180K以上，由于靈敏度太低而不能使用。另外更大的不足是每測(cè)量一個(gè)位必須耐心地等半個(gè)多小時(shí)。因?yàn)?，?5K附近SrTiO4微晶玻璃有結(jié)構(gòu)變化。另外，還因?yàn)橛捎跍囟茸兓瘯?huì)造成電容的膨脹（或收縮）以及電致收縮等。SrTiO4微晶玻璃要出現(xiàn)結(jié)構(gòu)弛豫，此階段要經(jīng)過(guò)半小時(shí)以上才能穩(wěn)定。所以，在改變溫度、調(diào)整電容控溫儀時(shí)，要在電橋平衡點(diǎn)附近進(jìn)行，以免控溫電橋大的不平衡?？販仉姌虿黄胶庠酱?，電容上電壓變化越大，電致收縮就越厲害，造成的不穩(wěn)定性也就越厲害，需要穩(wěn)定的時(shí)間就越長(zhǎng)。測(cè)量時(shí)，如果等候時(shí)間不夠，在測(cè)量時(shí)會(huì)出現(xiàn)幾十毫度到幾百毫度的漂移（誤差）。此外電容控溫儀設(shè)備昂貴，需要進(jìn)口，所以尋找強(qiáng)磁場(chǎng)里溫度控制與測(cè)量的新方法是有意義的。
　　二、用CGRT在強(qiáng)磁場(chǎng)下進(jìn)行溫度的控制與測(cè)量的方法
　　CGRT在磁場(chǎng)里誤差比較小，但是要進(jìn)行測(cè)量特別是在非常強(qiáng)的磁場(chǎng)里，還是不行，例如在4.21K，19K時(shí)，誤差就高達(dá)330mK。
　　由于CGRT的磁阻可以用簡(jiǎn)單的公式進(jìn)行計(jì)算，磁場(chǎng)造成的誤差可以消除，所以用CGRT進(jìn)行強(qiáng)磁場(chǎng)下溫度的控制與測(cè)量是*可能的。先介紹用CGRT進(jìn)行強(qiáng)磁場(chǎng)下測(cè)溫的具體方法。
　　計(jì)算磁阻的公式為：
　　100△R/R。＝f（T）g（H） ——（1）式
　　其中Ro為磁場(chǎng)為零時(shí)CGRT的電阻值，它僅僅是溫度的函數(shù)；△R及為CGRT的磁阻值；f（T）和g（H）分別為T和H的函數(shù)。
　　由于磁阻效應(yīng)，在磁場(chǎng)為H、溫度為T時(shí)（溫度T是未知物理量）測(cè)量到CGRT的電阻值不是Ro：而是R，R＝R。+△R 。 從CGRT溫度表查出R對(duì)應(yīng)的溫度為T1，T1作為溫度T的一級(jí)近似，用上式算出和H，T1對(duì)應(yīng)的磁阻△R1；按 R-△R1＝R1，再查CGRT溫度表，得到與R1對(duì)應(yīng)的溫度T2（溫度T的二級(jí)近似），同樣算出和H和T2對(duì)應(yīng)的磁阻△R2；按R-△R2=R2 ，查表得T3（溫度T的三級(jí)近似）。此時(shí)，T與T3之差小于5mK，就獲得了強(qiáng)磁場(chǎng)中溫度的值。
　　對(duì)于Lake Share公司生產(chǎn)的CGRT，它的磁阻特性可以用磁阻平均值來(lái)替換，把磁阻平均值造成的溫度誤差列成表。
　　同樣，強(qiáng)磁場(chǎng)里溫度的控制問(wèn)題也可以得到解決，具體做法如下：
　　在溫度不變時(shí)，磁阻值只隨磁場(chǎng)變化，并且有很簡(jiǎn)單的拋物線規(guī)律，所以可將此變化規(guī)律寫入控溫程序里。如果使用不附程序的控溫電橋，例如DW-702控溫儀，那么在控溫時(shí)，當(dāng)磁場(chǎng)變化時(shí)，控溫電橋里的電阻箱（或者DW-702里的mV定值器）也作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，調(diào)整的大小正好等于CGRT磁阻的變化，數(shù)值可直接由（1）式算出。由于磁場(chǎng)變化而產(chǎn)生的溫度漂移基本上被消除，解決了強(qiáng)磁場(chǎng)下控溫的問(wèn)題。