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  磁阻傳感器基本可分為兩個(gè)類別。在高磁場(chǎng)應(yīng)用中，例如施加場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度高到足以使軟磁傳感器材料達(dá)到飽和（約為 H>10 kA/m）時(shí)，傳感器中的磁化矢量始終（幾乎）平行于施加場(chǎng)。磁阻高磁場(chǎng)傳感器的一個(gè)常見(jiàn)應(yīng)用是非接觸式角度傳感器，例如 KMT32B、KMT36H 或 KMT39 磁阻傳感器。在低磁場(chǎng)應(yīng)用中，磁化矢量主要由帶條的形式?jīng)Q定，因?yàn)榇呕@示了縱向流變的自然偏好。外部磁場(chǎng)導(dǎo)致帶條中磁化的 α 扭曲，這在 MR 效應(yīng)的作用下改變了電阻。此模式中通常會(huì)使用線性低磁場(chǎng)傳感器。

  磁阻效應(yīng)，1857年科學(xué)家將一個(gè)鐵塊放在磁場(chǎng)中，注意到鐵塊的電阻發(fā)生了微弱變化，由此發(fā)現(xiàn)了磁阻效應(yīng)。但直到 100 多年后的 1971 年，才次提出了磁阻傳感器的概念。，到了1991年，IBM 公司在硬盤驅(qū)動(dòng)器中引入了個(gè) MR 頭，使用一條磁阻材料來(lái)檢測(cè)位數(shù)。此前，MR 傳感器只是用于要求不高的價(jià)格標(biāo)簽和標(biāo)記閱讀器（只讀）及磁帶應(yīng)用中。

  監(jiān)控溫度、壓力、張力或流量等屬性的傳感器會(huì)提供與所需參數(shù)直接相關(guān)的輸出信號(hào)。另一方面，磁傳感器不同于大多數(shù)的這類檢測(cè)器，因?yàn)榇艂鞲衅魍ǔ２皇侵苯訙y(cè)量相關(guān)的物理屬性，而是檢測(cè)變化，或者由物體或事件造成或改變的磁場(chǎng)干擾。因此，磁場(chǎng)可能帶有與方向、存在狀態(tài)、旋轉(zhuǎn)、角度或電流等屬性相關(guān)的信息，而這些信息將由磁傳感器轉(zhuǎn)換為電壓。少數(shù)磁傳感器是測(cè)量磁場(chǎng)，例如指南針中測(cè)量地磁場(chǎng)。輸出信號(hào)需經(jīng)過(guò)一些信號(hào)處理以轉(zhuǎn)換為所需參數(shù)。顯然，磁場(chǎng)分布取決于產(chǎn)生或干擾磁場(chǎng)的物體（即磁體、電流等）或事件的距離和形式。因此，在應(yīng)用設(shè)計(jì)中，應(yīng)始終考慮傳感器和產(chǎn)生磁場(chǎng)的物體這兩方面的因素，這一點(diǎn)非常重要。盡管磁傳感器的使用難度更大，但卻能提供精確、可靠的數(shù)據(jù)，而且無(wú)需使用物理連接。