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半導(dǎo)體工廠名詞匯總

來(lái)源:青島佳鼎分析儀器有限公司   2024年08月01日 07:32  

工藝類(lèi):

Al-Cu-Si鋁硅銅:其成份為0.5%銅,1%硅及98.5%鋁,一般制程通常是使用99%鋁1%硅.后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(Electromigration)故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移。

Alloy合金(ALSI):半導(dǎo)體制程在蝕刻出金屬連線(xiàn)后,必須加強(qiáng)Al與SiO2間interface的緊密度,故進(jìn)行Alloy步驟,以450℃作用30min,增加Al與Si的緊密程度,防止Al層的剝落及減少歐姆接觸的電阻值,使RC的值盡量減少。

Anneal回火:激活雜質(zhì)、消除損傷

atoms:原子

Bake:烘烤,芯片置于稍高溫(60℃~250℃)的烘箱或熱板上均可謂之烘烤。隨其目的不同,可區(qū)分為軟烤(Softbake)與預(yù)烤(Hardbake)

Softbake:軟烤,其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后,主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除,并且可增加光阻與芯片的附著力

Hardbake:預(yù)烤,又稱(chēng)為蝕刻前烘烤(pre-etchbake),主要目的為去除水氣,增加光阻附著性,尤其在濕蝕刻(wetetching)更為重要,預(yù)烤不常會(huì)造成過(guò)蝕刻

BarrierLayer阻障層:為了防止鋁合金與硅的的接觸界面發(fā)生尖峰(spiking)現(xiàn)象,并降低彼此的接觸電阻,在鋁合金與硅之間加入一層稱(chēng)為阻障層的導(dǎo)體材料,常見(jiàn)的有Ti/TiN及TiW

Boat:晶舟

BPSG(boron-phosphor-silicate-glass):為硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow溫度,并且P吸附一些雜質(zhì)離子,流動(dòng)性比較好,作為ILD的平坦化介質(zhì)

USG:沒(méi)有攙雜的二氧化硅,LPCVD制得,一般沉積在BPSG下面,以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面,影響組件的特性。

BufferLayer緩沖層:通常此層沉積于兩個(gè)熱膨脹系數(shù)相差較大的兩層之間,緩沖兩者因直接接觸而產(chǎn)生的應(yīng)力作用。我們制程見(jiàn)的緩沖層即SiO2,它用來(lái)緩沖SiN4與Si直接接觸產(chǎn)生的應(yīng)力,從而提升Si3N4對(duì)Si表面附著能力。

Chamber:真空室,反應(yīng)室

Al Bond Pad: Create a bond pad for packaging purposes

潔凈室:又稱(chēng)無(wú)塵室。半導(dǎo)體加工的環(huán)境是高凈化空間,恒溫恒濕,對(duì)微粒要求非常高。常用class表示等級(jí)(class1即一立方米直徑大于0.5微米的微粒只有一顆)。

Deposition Rate:沉積速率,表示薄膜成長(zhǎng)快慢的參數(shù)。一般單位A/s

Copper Line:銅線(xiàn)

Die:晶粒,一片芯片(OR晶圓,即Wafer)上有許多相同的方形小單位,這些小單位即稱(chēng)為晶粒

Dielectric介電材料:介于導(dǎo)電材料之間的絕緣材料。常用的介電材料有SiO2,Si3N4等

Diffusion擴(kuò)散

DIWater去離子水

Drypump:干泵,主要的特點(diǎn)是可以從大氣壓下直接開(kāi)始抽氣,所以可以單獨(dú)使用

Electromigration:電子遷移,在電流作用下的金屬。此系電子的動(dòng)量傳給帶正電的金屬離子所造成的

ETCH:蝕刻其制造程序通常是先長(zhǎng)出或蓋上一層所需要的薄膜,再利用微影技術(shù)在這層薄膜上,以光阻定義出所欲制造的電路圖案,再利用化學(xué)或物理方式將不需要的部份去除,此種去除步驟,便稱(chēng)為蝕刻(ETCH)

FourPointProbe:四點(diǎn)測(cè)針,是量測(cè)芯片片阻值(SheetResistance)Rs的儀器。

FTIR:傅氏轉(zhuǎn)換紅外線(xiàn)光譜分析儀

GateValve:閘閥,用來(lái)控制氣體壓力的控制裝置。

GateOxide:閘極氧化層

GrainSize:顆粒大小

Hillocks:小凸起

HPM:HCl+H2O2+DIWater混合液體的簡(jiǎn)稱(chēng),常用來(lái)去除移動(dòng)金屬離子。

ILD:Inter-LayerDielectrics內(nèi)層介電材料,層金屬層與Si底材之間的介電層,我們常用的是BPSG.

IntrinsicStress:內(nèi)應(yīng)力

ExtrinsicStress:外應(yīng)力

IonImplanter:離子植入機(jī)

IonSource:離子源

LPCVD:LowPressureChemicalVaporDeposition,即低壓化學(xué)氣相沉積。

LDD工藝(輕摻雜漏):在漏極與溝道之間形成很一層很薄的輕摻雜區(qū),降低漏極附近峰值電場(chǎng)強(qiáng)度,消弱熱載流子效應(yīng)。

Mask:光罩,在微影的階段中,必要的線(xiàn)路或MOS電晶體的部分結(jié)構(gòu),將被印制在一片玻璃片上,這片印有集成電路圖形的玻璃片稱(chēng)為光罩(Mask);在離子植入或LOCOS氧化時(shí),上面會(huì)有一層氧化層或SiN層作為幕罩(Mask),以降低離子植入時(shí)的通道效應(yīng)或氧化時(shí)的阻擋。

MFC:質(zhì)流控制器

OCAP:OutofControlActionPlan,制程異常處理程序

OhmicContact:歐姆接觸,金屬與半導(dǎo)體的接觸,而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻,使得組件操作時(shí),大部分的電壓降在于活動(dòng)區(qū)(Activeregion)而不在接觸面

PR:光阻(PhotoResist)

PVD:物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition)

TIM :Top Inner Magnet,頂部?jī)?nèi)磁鐵

TOM : Top Outer Magnet,頂部外部磁鐵

BIM :Bottom Inner Magnet,底部?jī)?nèi)磁鐵

BOM :Bottom Outer Magnet,底部外部磁鐵

ECP:電化學(xué)電鍍(Electrochemical Plating)

ALD:原子層沉積(Atomic Layer Deposition)

WCVD:Tungsten (Wolfram) Chemical Vapor Deposition

MOCVD:Metal-organic Chemical Vapor Deposition

PLD:Pulsed Laser Deposition

IMD:Intermetal Dielectric

RPC:Reactive Preclean

PinHole:針孔缺陷類(lèi)型

CMP:ChemicalMechanicPolishing,化學(xué)機(jī)械研磨

Recipe:工藝程式

Reclaim:再生硅片,測(cè)試硅片上的粒子與晶層經(jīng)過(guò)蝕刻與磨平程序,可重新回收賣(mài)給晶圓廠使用

Reflow:再回流
Reliability:可靠性

RTP:快速熱制程

Scanner:掃描裝置

Silicide:金屬硅化物,為金屬輿硅的化合物

Salicide:自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(Self-AlignedSilicide)

SEM:Scanning Electron Microscope掃描式電子顯微鏡

Scrubber:刷洗機(jī)

SheetResistance:片電阻

SPC(StatisticalProcessControl):統(tǒng)計(jì),過(guò)程,控制英文的縮寫(xiě),是一種質(zhì)量管理方法

SPEC(Specification):規(guī)范界限
Spike:尖峰
Void孔洞:是一種材料缺陷,會(huì)影響材料的致密性,從而影響強(qiáng)度。當(dāng)對(duì)表面有階梯的晶片進(jìn)行膜層沉積時(shí),因?yàn)槌练e角度不同等因素,導(dǎo)致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底,這樣的話(huà)沉積的膜層將無(wú)法填入洞中,極有可能造成孔洞

STR:Stress,應(yīng)力,對(duì)固體物體所施與的外力或其本身所承受的內(nèi)力,稱(chēng)為'應(yīng)力(stress)'.

REF:Reflect 反射率

THK:Thickness 薄膜厚度

RS:Resisitance 電阻

PA:Particle 顆粒

DN:Defect Notice 缺陷通知報(bào)告

GOF:Goodness Of Fit 擬合度

EDC:Electronic Data Capture 電子數(shù)據(jù)采集

SOI(Silicon on Insulator):超薄絕緣層上硅技術(shù)

TEOS:四乙基正硅酸鹽,含有硅與碳、氫與氧的有機(jī)硅源,化學(xué)分子式是Si(OC2H5)4,其沸點(diǎn)較高,常壓下約(169℃)。在CVD制程的應(yīng)用上,TEOS在足夠的溫度下TEOS進(jìn)行反應(yīng)而產(chǎn)生二氧化硅

熱電偶(Thermocouple):測(cè)量溫度之用。有兩根不同材質(zhì)的探頭放入被測(cè)環(huán)境中,得到電壓值,再將電壓值轉(zhuǎn)變?yōu)闇囟戎怠?/span>

Tungsten:

低真空(LowVacuum)760-1torr

中真空(MediumVacuum)1-10-3

高真空(HighVacuum)10-3-10-7

真空(UlteaHighVacuum)10-7~10-10

Uniformity:均勻性

UpTime:使用率,表示機(jī)臺(tái)可以run貨的時(shí)間,包含run貨的時(shí)間及機(jī)臺(tái)lost時(shí)間,即除down機(jī)時(shí)間

Via:金屬與金屬之間的通道

Yield:良率,即合格率,合格的產(chǎn)品占總產(chǎn)品的比例。

Fabless:指沒(méi)有制造業(yè)務(wù)、只專(zhuān)注于設(shè)計(jì)的一種運(yùn)作模式。Fabless 公司負(fù)責(zé)芯片的電路設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售,將生產(chǎn)、測(cè)試、封裝等環(huán)節(jié)外包

Foundry:圓晶代工模式、專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)生產(chǎn)、制造芯片,不負(fù)責(zé)芯片設(shè) 計(jì),可同時(shí)為多家設(shè)計(jì)公司提供服務(wù)

IDM:Integrated Device Manufacturer,指垂直整合制造工廠,是集芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試及產(chǎn)品銷(xiāo)售于一體的整合 元件制造商,屬于半導(dǎo)體芯片行業(yè)的一種運(yùn)作模式

EPI:Epitaxy外延片

Lot:若干個(gè)晶圓組成的一個(gè)批次叫Lot

LOCOS(Local Oxidation of Silicon):硅局部氧化工藝

NPW:非產(chǎn)品片的總稱(chēng),包括:結(jié)構(gòu)片、監(jiān)控片(Monitor)、QC片、Season暖機(jī)片、Dummy片

Season片:機(jī)臺(tái)啟動(dòng)后,投個(gè)Season片進(jìn)行暖機(jī)

STI(Shallow Trench Isolation):淺溝槽隔離

offline:與Lot加工處理不相關(guān)的定義為offline,比如設(shè)備PM、NPW的處理過(guò)程、輔助工具的處理過(guò)程的一些數(shù)據(jù)監(jiān)控

Inline:與LOT加工直接相關(guān)的或者是監(jiān)控LOT的參數(shù)屬于Inline。

OOC/OOS:針對(duì)規(guī)格或控制圖的兩對(duì)控制線(xiàn)

VMS:(virgin makeup solution)




操作類(lèi):

Batch:若干個(gè)lot和NPW組成的集合

Hold:把片子鎖住不讓往后流片,執(zhí)行此動(dòng)作的系統(tǒng)是MES

splits:分批

Release:解鎖,片子可以繼續(xù)往后流

Future hold:提前設(shè)置好片子要Hold在未來(lái)的哪個(gè)工序

issue:產(chǎn)線(xiàn)出現(xiàn)的問(wèn)題

Run:設(shè)備正在Run, 產(chǎn)品Lot

BKUP:Run_Foundry Lot,設(shè)備正在Run, 其他廠的Lot

TEST_CW:Run_NPW,設(shè)備正在Run, 控?fù)跗琇ot: C、D、Y、Z、V

TEST:借機(jī), DOE, SRC等,設(shè)備可供Run, 但工程師通過(guò)向MFG借設(shè)備做工程實(shí)驗(yàn)/調(diào)整Recipe/或MFG follow SRC…等

IDLE:閑置,設(shè)備可供Run, 但因無(wú)WIP或其他間接物料可Run

SUSPEND:延緩,設(shè)備可供Run, MFG為了某些特殊原因而閑置, 如Q-Time管控, 空機(jī)等Key Lot…等)

MON_R:Daily Monitor,依據(jù)OI規(guī)定進(jìn)行設(shè)備可靠性常規(guī)檢查(Daily Monitor)

PM:預(yù)防保養(yǎng),預(yù)防定期維護(hù)(維修保養(yǎng))

MON_PM:PM后Monitor,預(yù)防定期維護(hù)后的可靠性檢查(PM后Monitor)

DOWN:宕機(jī),機(jī)臺(tái)異常, 無(wú)法正常生產(chǎn)

MON_DOWN:Down后Monitor,機(jī)臺(tái)異常修復(fù)后的可靠性檢查(Down后Monitor)

HOLD_ENG:PE異常確認(rèn),PE澄清, 產(chǎn)品異常確認(rèn), 停止設(shè)備Run貨(Defect…)

WAIT_ENG:等待PE/EE處理,設(shè)備顯示異常信息,等待工程部(PE/EE)處理

WAIT_MFG:等待MFG處理,等待制造部處理(PE/EE借機(jī)后, 交回MFG)

FAC:Facility,因廠務(wù)的水/電/氣/火…等異常引起Down機(jī)

CIM:IT,因MES/IT系統(tǒng)…等異常問(wèn)題引起Down機(jī)

OFF:裝機(jī),停機(jī)


系統(tǒng)類(lèi):

SRC:split run card

RRC:recover run card

MES:Manufacturing Execution System,生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng),用于管理生產(chǎn)過(guò)程的IT系統(tǒng),包括:對(duì)生產(chǎn)過(guò)程和物理設(shè)施的建模、過(guò)程監(jiān)控和追溯等功能,對(duì)下連接EAP、橫向?qū)覹MS、SPC系統(tǒng)和物流系統(tǒng)、對(duì)上連接ERP系統(tǒng),也會(huì)和OA系統(tǒng)對(duì)接

FMEA:Fail Mode Effect Analysis

PRS:Process Release Standard

TRS:Tool Released Standard

STR:Special Test Request

MSTR:Mass Special Test Request

T0:Tier0 mean Pre-hook and hook up

T1:Tier1 means hardware installation and BKM test

T2:Tier2 means standard process tuning

T3:Tier3 means to go qualification lot or condition release



組織會(huì)議類(lèi)

OP meeting:跨部門(mén)的生產(chǎn)會(huì)議

PP:生產(chǎn)計(jì)劃

IE:工業(yè)工程師

MFG:制造部

YE:缺陷改善工程師

PE:工藝工程師,簡(jiǎn)稱(chēng)工藝

PIE:制程整合工程師

TD:技術(shù)研發(fā)部門(mén)

ECN:臨時(shí)工程變更通知

DRB:Disposition Review Board,針對(duì)lot,比如超Spec了往下放就要開(kāi)drb進(jìn)行追蹤

EAR:Event abnormal review:重大的品質(zhì)事件

MRB:material review board,重大物料異常


Fab 生產(chǎn)指標(biāo)名詞

PN(Prior Notice):料號(hào),不同供應(yīng)商,不同材料參數(shù)的襯底會(huì)有不同的料號(hào),和Raw material一樣的意思,站在供貨方角度叫PN,站在收貨方角度就叫原材料

Cycle Time (C/T, Day Per Layer):(每層)生產(chǎn)周期,產(chǎn)品在經(jīng)二道黃光制程之間所花時(shí)間

Move (Stage, Step(m/c),Location):晶片移動(dòng)量

T/R (Turn Ratio):(在制品)周轉(zhuǎn)率,每片晶片平均每天所跑過(guò)的Stage數(shù)

Wafer Out ( Wafer Start --> QC Inspection --> W/H):晶片產(chǎn)出量,經(jīng)由OQA 檢驗(yàn)合格由FAB出貨的晶片數(shù)量

FAB_Yield:整廠良率,工廠的產(chǎn)出晶片良品數(shù)量與投入生產(chǎn)之晶片數(shù)量的比率

Wafer Acceptance Test Yield:電性合格測(cè)試的合格率

Move/Manufacturing Assistant-Hour:每人工小時(shí)的晶片移動(dòng)量(生產(chǎn)力),每名MA每工作小時(shí)平均所產(chǎn)生的晶片移動(dòng)量

OTDO (On-Time Delivery for Order):工廠準(zhǔn)時(shí)交貨率,工廠依照PC&IE訂定的出貨日程提早或準(zhǔn)時(shí)出貨的能力

OTDV (On-Time Delivery for Volume):工廠產(chǎn)量達(dá)成率,工廠依照P&IE訂定的每月交貨量出貨的能力

Control wafer usage:控片使用率,平均每生產(chǎn)一片晶片所需使用的控片數(shù)量

Auto operation ratio:自動(dòng)操作比例,系統(tǒng)預(yù)約operation的比例

Sampling ratio:抽樣率,產(chǎn)品量測(cè)之比例

WPH(Wafer Per Hour):機(jī)臺(tái)每小時(shí)晶片產(chǎn)出量

Uptime:設(shè)備時(shí)間稼動(dòng)率,設(shè)備的實(shí)際可使用時(shí)間所占比例

Utilization:設(shè)備性能稼動(dòng)率,設(shè)備在可使用時(shí)間范圍實(shí)際用于生產(chǎn)的時(shí)間所占比例

Effi% loss:設(shè)備產(chǎn)出效能損失,設(shè)備的實(shí)際產(chǎn)出與理論產(chǎn)出的差異

Rework(RWK):產(chǎn)品重工率,反映產(chǎn)品按照既定recipe、機(jī)臺(tái)產(chǎn)出既定規(guī)格產(chǎn)品之水平

OEE(Overall Equipment Efficienc):設(shè)備綜合效率,設(shè)備負(fù)荷時(shí)間內(nèi)實(shí)際產(chǎn)出與理論產(chǎn)出的比值

F-CLIP(Fab-Confirmed Line Item Performance):工廠準(zhǔn)時(shí)交貨率,工廠依照生產(chǎn)企劃部訂定的出貨日程提早或準(zhǔn)時(shí)出貨的能力

F-CVP(Fab-Confirmed Volume Performance):工廠產(chǎn)量達(dá)成率,工廠依照生產(chǎn)企劃部訂定的每月交貨量出貨的能力

AOQ(Average Outgoing Quality):平均出貨水準(zhǔn),無(wú)暇疵產(chǎn)品的比率

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