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隨著科技的快速發(fā)展，LED行業(yè)對(duì)環(huán)保、性能等要求也越來(lái)越高。在LED行業(yè)里面，晶圓是整個(gè)LED的重要組成部分，晶圓光刻膠的去除是LED整個(gè)部件重要的技術(shù)部分，也是LED技術(shù)的關(guān)鍵所在

提到晶圓，就會(huì)講到光刻膠，講到蝕刻。晶圓光刻膠是一種有機(jī)化合物膠水，在光尤其是紫外線光的照射下，在顯影液中的溶解度會(huì)凝結(jié)。曝光后烘烤成固態(tài)。

整個(gè)光刻的過(guò)程是這樣的，使用的時(shí)候，wafer（晶圓）被裝到一個(gè)每分鐘能轉(zhuǎn)幾千轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤(pán)上。幾滴光刻膠溶液就被滴到旋轉(zhuǎn)中的wafer的中心，離心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻膠溶液黏著在wafer上形成一層均勻的薄膜。多余的溶液從旋轉(zhuǎn)中的wafer上被甩掉。薄膜在幾秒鐘之內(nèi)就縮到它最終的厚度，溶劑很快就蒸發(fā)掉了，wafer上就留下了一薄層光刻膠。最后通過(guò)烘焙去掉最后剩下的溶劑并使光刻膠變硬以便后續(xù)處理。鍍過(guò)膜的wafer對(duì)特定波層的光線很敏感，特別是紫外（UV）線。相對(duì)來(lái)說(shuō)他們?nèi)耘f對(duì)其他波長(zhǎng)的，包括紅，橙和黃光不太敏感。所以大多數(shù)光刻車(chē)間有特殊的黃光系統(tǒng)。

光刻膠通過(guò)曝光、顯影和刻蝕等方式在每一層結(jié)構(gòu)面上形成所需要的圖案。在進(jìn)行后一層處理時(shí)，需要將前一次使用后的光刻膠去除。

由預(yù)先定義好的圖形把不要的局域去除，保留要留下的區(qū)域，將圖形轉(zhuǎn)移到所選定的圖上的過(guò)程需要等離子處理。

等離子處理有以下優(yōu)點(diǎn)：獲得滿(mǎn)意的剖面，鉆孔小，選對(duì)表面和電路的損傷小，清潔、經(jīng)濟(jì)、安全，刻蝕均勻性好重復(fù)性高。處理過(guò)程中不會(huì)引入污染，潔凈度高。

等離子清洗機(jī)在去除光刻膠具體應(yīng)用：

等離子清洗機(jī)的應(yīng)用包括預(yù)處理、灰化/光刻膠/聚合物剝離、晶圓凸點(diǎn)、消除靜電、介電質(zhì)刻蝕、有機(jī)污染去除、晶圓減壓等。使用等離子清洗機(jī)，不僅能清除光刻膠等有機(jī)物，還能活化加粗晶圓表面，提高晶圓表面的浸潤(rùn)性，使晶圓表面更加具有粘接力。

作為干法清洗等離子清洗機(jī)可控性強(qiáng)，一致性好，不僅去除光刻膠有機(jī)物，而且還活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤(rùn)性

晶圓清潔-等離子清洗機(jī)用于在晶圓凸點(diǎn)工藝前去除污染，還可以去除有機(jī)污染、去除氟和其它鹵素污染、去除金屬和金屬氧化。

晶圓蝕刻-等離子清洗機(jī)預(yù)處理晶圓的殘留光刻膠和BCB，重新分配圖形介電層、線/光刻膠蝕刻，提高晶圓材料表面的附著力，去除多馀的塑料密封材料/環(huán)氧樹(shù)脂，還有其它的有機(jī)污染物，提高金焊料凸點(diǎn)的附著力，減少晶圓壓力破碎，提高旋轉(zhuǎn)涂膜的附著力。

納恩科技晶元等離子去膠設(shè)備在光刻膠去除、打線前清洗和塑封前活化等工藝中積累了較為豐富的等離子表面處理經(jīng)驗(yàn)，在這一方面納恩科技能夠給需要的客戶(hù)帶來(lái)專(zhuān)業(yè)的工藝處理方案