摘要Agilent8487D二極管功率傳感器8487D二極管功率傳感器The8487Ddiodepowersensormeasuresaveragepoweroverthefrequencyrange50MHzto50GHzandpowerrange-70to-20dBm...

摘要 【商品簡介】特點為復(fù)合成分的測量提供精確的信號固態(tài)——低維護(hù)量光纖探頭——遠(yuǎn)距離傳輸觸摸屏顯示器和人機(jī)界面轉(zhuǎn)動鍵盤適用于特殊用途4-20mA輸出Modbus以太網(wǎng)TCPIP協(xié)議輸出波長范圍廣

摘要肖特基二極管5A（SK52～SK520/SMC） 肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），在電源工業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)有25年歷史，它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極...

摘要 簡要描述： 正向二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。PRM7626T-500型浪涌電流滿足JB/T7626-2013中的標(biāo)準(zhǔn)要求。

摘要 ●FT4310-01能夠在日照下輕松的檢測開路/短路故障※1●在接線盒的電池串中進(jìn)行簡單檢查※2●1次檢查完成所有測量※3●對應(yīng)PC測量的USB通訊功能（需要選件）※1也能在夜晚進(jìn)行檢查

摘要 整流二極管較強(qiáng)的正向浪涌承受能力：30A正向平均整流電流：1

摘要 焊接式ZP系列整流二極管芯片

摘要 訂貨信息島津SPD-M10Avp二極管陣列檢測池No

摘要產(chǎn)品介紹 EDMUND OPTICS可調(diào)焦二極管模塊63-889這些適用于惡劣環(huán)境 (HE) 的可對焦激光二極管模塊提供三種版本。DM系列使用戶能夠使用單一TTL信號來控制調(diào)制頻率。S 和 H 系列同時接受數(shù)字和模擬調(diào)制，允許用戶獨立控制光強(qiáng)和頻率。另外可提供安裝附件...

摘要產(chǎn)品介紹 EDMUND OPTICS激光二極管33-046632.8nm頻率穩(wěn)定的激光二極管非常適用于典型的氦氖(HeNe)激光應(yīng)用，包括流式細(xì)胞儀、干涉測量、共焦顯微鏡、熒光激發(fā)以及拉曼光譜學(xué)。擁有相似功能的氦氖激光的尺寸較大，價格較昂貴而且功耗較高。632.8nm...

摘要 Thorlabs 緊湊型激光二極管和溫度控制器CLD1015激光二極管和溫度控制器是一個完整的驅(qū)動包，設(shè)計用于驅(qū)動和冷卻帶尾纖的蝶形激光二極管

摘要產(chǎn)品 ID： 11930 ...

摘要產(chǎn)品 ID： 11929 ...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸7 mm2,光譜響應(yīng)范圍位于400-1100nm.品牌:德國IFW 型號: JI 576 / 57...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。該款Si硅光電二極管頂部配有聚光透鏡，具有更大范圍的響應(yīng)。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應(yīng)范圍位于400-...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應(yīng)范圍位于400-1100nm.品牌:德國IFW 型號: JI 546 / ...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。該款Si硅光電二極管超低功耗，頂部配有聚光透鏡，具有更大范圍的響應(yīng)。超非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應(yīng)范圍...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。定制款I(lǐng)FW的SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVC的紫外波段位于225-280nm.通過特定的濾光片，...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于210-355nm. 芯片尺寸0.25mm2....

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于215-355nm.芯片尺寸2mm2.品牌:德...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)150°C的環(huán)境下長期工作。UVA的紫外波段位于318-395nm，300-400nm或者350-4...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVA的紫外波段位于318-360nm.芯片尺寸1mm2.品牌:德國IF...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸1mm2.此外，可以根據(jù)...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)150°C的環(huán)境下長期工作。UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸0.1 mm2.此外，可...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于210-355nm.芯片尺寸0.1 mm2.品...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于215-360nm.該型號帶聚光透鏡，非常適合...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于220-390nm.芯片尺寸0.1 mm2.品...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVC的紫外波段位于225-280nm.通過特定的濾光片，紫外波段可以延...

摘要短波紅外二極管激光器是一種連續(xù)波、多縱模法布里-珀羅器件，其發(fā)光帶寬約為20nm，輸出功率高達(dá)50mW。它們要么作為芯片載體提供，要么封裝在低功率TO-66封裝中，具有準(zhǔn)直或發(fā)散自由空間光束輸出?；贗nP技術(shù)，可以在1.45-2.2μm范圍內(nèi)定制SWIR二極管激光器...

摘要 超快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。

摘要Anritsu MA244XD 標(biāo)準(zhǔn)二極管傳感器可與 ML2430、ML2480 和 ML2490 系列功率計聯(lián)合使用。 該傳感器專為高動態(tài)范圍、高精準(zhǔn)度的 CW 和 TDMA 測量而設(shè)計。 MA244XD 內(nèi)置 3 dB 衰減器，能夠*大程度地降低輸入電壓駐波比，適...

摘要Anritsu MA244XD 標(biāo)準(zhǔn)二極管傳感器可與 ML2430、ML2480 和 ML2490 系列功率計聯(lián)合使用。 該傳感器專為高動態(tài)范圍、高精準(zhǔn)度的 CW 和 TDMA 測量而設(shè)計。 MA244XD 內(nèi)置 3 dB 衰減器，能夠*大程度地降低輸入電壓駐波比，*...

摘要Anritsu MA244XD 標(biāo)準(zhǔn)二極管傳感器可與 ML2430、ML2480 和 ML2490 系列功率計聯(lián)合使用。 該傳感器專為高動態(tài)范圍、高精準(zhǔn)度的 CW 和 TDMA 測量而設(shè)計。 MA244XD 內(nèi)置 3 dB 衰減器，能夠*大程度地降低輸入電壓駐波比，*...

摘要 光敏二極管

摘要 ProductSizeEmittedColorP(nm)IE(x,y)Vf_Typ(V)Vf_Max(V)Iv_Min(mcd)Iv_Typ(mcd)ViewAngle(℃)59-14UTD/TR8L5

摘要 ProductSizeEmittedColorP(ny)/CCT-TypVf_Typ(V)Vf_Max(V)Flux_Tye(Im)Ev_Typ(Ix)@lmeterViewAngle(℃)EHP-C04/NT01H-P01/TRL2

摘要 Thorlabs 近紅外超輻射發(fā)光二極管(SLD)超輻射發(fā)光二極管(SLD)是 jue 佳 的高功率寬帶光源，極其適用于諸如光學(xué)相干層析(OCT)成像系統(tǒng)和光纖陀螺儀(FOG)等應(yīng)用。

摘要 Thorlabs 紫外激光二極管 中心波長375nm輸出功率70 mW中心波長375 nmØ5.6 mm的TO封裝兼容Thorlabs的激光二極管和TEC控制器

摘要 設(shè)備概述：晶閘管是一種多功能的輔助教學(xué)裝置

摘要 二極管陣列在線近紅外分析儀（DA系列）是一款用于谷物、油脂、面粉和飼料加工領(lǐng)域的在線近紅外分析儀。點擊下載 DA7300™二極管陣列在線近紅外分析儀詳細(xì)資料

摘要所有樣品可以分析各種類型的樣品，包括整粒、粉末、液體、膏狀和漿狀液體。任何地方滿足IP65安全等級要求，可以在生產(chǎn)在線和實驗室使用。任何時間隨時出結(jié)果，6秒內(nèi)出結(jié)果，不需要樣品的制備。所有人儀器使用簡便，所有人都可以使用。點擊下載 DA7250二極管陣列近紅外分析儀 ...

摘要在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時，其兩極呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn)，通過TVS的電流達(dá)到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預(yù)定的大箝位電壓以下。隨后...

摘要導(dǎo)體器件。通常它包含一個PN結(jié)，有陽極和陰極兩個端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正...

摘要 AeroDIODE公司位于法國波爾多，是光學(xué)與激光研發(fā)Alphanov的子公司。Aerodiode提供用于半導(dǎo)體組件（如激光二極管或 SOA）的光電解決方案。為激光開發(fā)提供多種選擇，有利于激光開發(fā)激光元器件。

摘要 AeroDIODE公司位于法國波爾多，是光學(xué)與激光研發(fā)Alphanov的子公司。Aerodiode提供用于半導(dǎo)體組件（如激光二極管或 SOA）的光電解決方案。為激光開發(fā)提供多種選擇，有利于激光開發(fā)激光元器件。